Liste verwendeter Formelzeichen
A SperrschichtflächeA LeuchtflächeA Stromverstärkung des Bipolartransistors in BasisschaltungAI inverse Stromverstärkung, RückwärtsstromverstärkungAD Differenzverstärkunga Beschleunigunga AusräumfaktorB magnetische FlussdichteB GleichstromverstärkungsfaktorB Mess-Bandbreite (betrachtetes Frequenzintervall)C KapazitätC TemperaturkonstanteCMRR GleichtaktunterdrückungCG Gehäuse-KapazitätCK KoppelkapazitätCS SperrschichtkapazitätCG GatekapazitätCS0 Null-KapazitätCEBO EmittersperrschichtkapazitätCCBO Kollektorsperrschichtkapazitätc LichtgeschwindigkeitcD DiffusionskapazitätcS0 flächenbezogene Kapazität des spannungslosen pn-ÜbergangsD differenzieller RückwirkungsfaktorD TastverhältnisDn Diffusionskonstante für ElektronenDp Diffusionskonstante für LöcherE elektrische FeldstärkeE EnergiewertE kinetische EnergieEg Bandabstand, Bandlücke, Energielücke
677© Springer Fachmedien Wiesbaden GmbH, ein Teil von Springer Nature 2019L. Stiny, Aktive elektronische Bauelemente, https://doi.org/10.1007/978-3-658-24752-2
678 Liste verwendeter Formelzeichen
�Eg Energieabstand�E Energiebreite, HalbwertsbreiteEV obere Bandkante ValenzbandEC untere Bandkante LeitungsbandED Energieniveau unterhalb der LeitungsbandkanteEA Energieniveau über der ValenzbandkanteEF Fermi-NiveauEEA ElektronenaffinitätEH Austrittsarbeite Basis des natürlichen Logarithmus, Euler’sche Zahl (D 2;718)e Elementarladung (Betrag)F KraftF RauschzahlFX .˛/ Wahrscheinlichkeitsverteilung, Verteilungsfunktionf Frequenzfc Grenzfrequenzfg Grenzfrequenzfg 3 dB-Grenzfrequenz bei V
fg0 3 dB-Grenzfrequenz bei V0
fM Modulationsfrequenzfmax maximale SchwingfrequenzfRes ResonanzfrequenzfT Transitfrequenzf0 SchwingfrequenzG LeitwertGBW Verstärkungs-Bandbreite-Produktg21 siehe S , SteilheitH magnetische Feldstärkeh Planck’sches WirkungsquantumhA relative Häufigkeit des zufälligen Ereignisses A
h11e siehe rBEh12e siehe D, differenzieller RückwirkungsfaktorI , i.t/ StromIB BasisstromIB0 KippstromIC KollektorstromICBO Kollektor-Basis-ReststromICES Kollektor-Emitter-ReststromID DiffusionsstromID DrainstromID DiodenstromID;AP Diodenstrom im Arbeitspunkt
Liste verwendeter Formelzeichen 679
IDSS Drain-SättigungsstromIE EmitterstromIEBO Emitter-Basis-ReststromICEO Kollektor-Emitter-ReststromIF FeldstromIF HaltestromIF DurchlassstromIFmax maximaler DurchlassstromIF;max maximaler DauerflussstromIFSM SpitzenflussstromIFRM periodischer SpitzenflussstromIH HaltestromIK KurzschlussstromILmax größter LaststromIPP StoßstromIP HöckerstromIV TalstromIR SperrstromIRM maximaler Rückwärtsstrom, Ausräumstrom, SperrreststromIS SperrsättigungsstromIS, Ith Schwell(en)stromIZ ZenerstromIZmax maximal zulässiger Sperrstrom ZenerdiodeIZmin minimaler Sperrstrom ZenerdiodeIv LichtstärkeK Steilheitsparameter, Steilheitskoeffizient, Transkonduktanz-Koeffizientk Boltzmann-Konstantek Wellenzahlk Konstantek Klirrfaktork GegenkopplungsfaktorL InduktivitätL mittlere Wegstrecke, DiffusionslängeL KanallängeLA Debye-LängeLD Debye-LängeLG Gehäuse-InduktivitätLeff effektive Längel Längeln Logarithmus zur Basis elog Logarithmus zur Basis 10lg Logarithmus zur Basis 10
680 Liste verwendeter Formelzeichen
MBW Modulationsbandbreitem Masseme Ruhemasse des freien Elektronsmeff; m� effektive Massemn durchschnittliche effektive Masse der Elektronen im Leitungsband, effek-
tive Elektronenmassemp durchschnittliche effektiveMasse der Löcher im Valenzband, effektive Lö-
chermassems Kapazitätskoeffizient, GradationsexponentNF Rauschmaß, Rauschzahln Nummer der Elektronenschalen Elektronendichten Emissionskoeffizient, Korrekturfaktor, Nichtidealitätsfaktorn Anzahl der durchgeführten ZufallsexperimentenA absolute Häufigkeit des zufälligen Ereignisses A
nA Dichte der AkzeptorennAB Anzahl Akzeptoren BasisnD Dichte der DonatorennDC Anzahl Donatoren KollektornDE Anzahl Donatoren Emitterni Eigenleitungsdichtenn Elektronendichte im n-Gebietnp Elektronendichte im p-Gebietpp Löcherdichte im p-Gebietpn Löcherdichte im n-GebietP WirkleistungP , PV VerlustleistungPV;max maximale VerlustleistungPV;max.puls/ maximale Verlustleistung bei PulsbetriebPPP PulsspitzenleistungPN NennbelastbarkeitPmax, Ptot maximale Belastung, maximale VerlustleistungPMPP maximale Leistung einer SolarzelleP.A/ Wahrscheinlichkeit des zufälligen Ereignisses A
p Impulsp LöcherdichtepX .˛/ Wahrscheinlichkeitsdichte, Verteilungsdichte, DichtefunktionQ GüteR Ohm’scher WiderstandR ReflexionskoeffizientRLZ RaumladungszoneRB Bahnwiderstand
Liste verwendeter Formelzeichen 681
RF Gleichstromwiderstand der Diode in FlussrichtungRL LastwiderstandRP ParallelwiderstandRS SerienwiderstandRS SperrwiderstandRV VorwiderstandRi InnenwiderstandRg InnenwiderstandRG InnenwiderstandRa InnenwiderstandRRes ResonanzwiderstandRth WärmewiderstandRth;JA Wärmewiderstand zwischen Sperrschicht und UmgebungRDS.on/ Einschaltwiderstand beim FETrBE differenzieller (dynamischer) EingangswiderstandrCE differenzieller (dynamischer) Ausgangswiderstand, Kleinsignalausgangs-
widerstandrD differenzieller (dynamischer) Widerstand der Diode, Wechselstromwider-
standrD DifferenzeingangswiderstandrGl GleichtakteingangswiderstandrD;AP differenzieller Widerstand der Diode im ArbeitspunktrZ differenzieller Innenwiderstand ZenerdiodeS Operator (Verknüpfung zwischen Ein- und Ausgangsgrößen)S Steilheit, ÜbertragungssteilheitSR SpannungsanstiegsrateSR RückwärtssteilheitSD Übertragungssteilheit, TranskonduktanzS� spektrale EmpfindlichkeitT PeriodendauerT absolute Temperatur in KelvinT KristalltemperaturTA UmgebungstemperaturTA;ref ReferenzumgebungstemperaturTC;ref ReferenzgehäusetemperaturTJ;max maximal erlaubte SperrschichttemperaturTC GehäusetemperaturTi intrinsische Temperaturt ZeittAA ZugriffszeittRC Lese-Zykluszeitte Einschaltzeit
682 Liste verwendeter Formelzeichen
tf Abfallzeittrr Sperrverzögerungszeit, Rückwärts-Erholzeit, Übergangszeit, Erholungs-
zeit, Erholzeit, SperrverzugszeittP Einschaltzeittgd Zündverzögerungszeittgr Durchschaltzeittgs Zündausbreitungszeittgt Zündzeittc Schonzeittr Anstiegszeitts Ausräumzeit, Speicherzeitts EinschwingzeitU , u.t/ SpannungUa AusgangsspannungUe EingangsspannungUB BetriebsspannungUBmax maximale BetriebsspannungUb GleichvorspannungUB0 KippspannungUBT0 NullkippspannungUB0C, UB0� positive, negative Zündspannung (Kippspannung)UCL KlemmspannungUBR DurchbruchspannungUBR;GS Gate-Source-DurchbruchspannungU.BR/EBO Emitter-Basis-DurchbruchspannungU.BR/CBO Kollektor-Basis-DurchbruchspannungU.BR/CEO Kollektor-Emitter-DurchbruchspannungUD DiffusionsspannungUD DiodenspannungUD;AP Diodenspannung im ArbeitspunktUEB Spannung zwischen Emitter und BasisUBE Spannung zwischen Basis und EmitterUCB Spannung zwischen Kollektor und BasisUCE Spannung zwischen Kollektor und EmitterUCE;sat Kollektor-Emitter-SättigungsspannungUDSP Drain-Abschnürspannung, KniespannungUGSP Gate-AbschnürspannungUGS Spannung zwischen Gate und SourceUF äußere Spannung in Flussrichtung, FlussspannungUF;i innere FlussspannungUH HaltespannungUR äußere Spannung in Sperrrichtung, Sperrspannung
Liste verwendeter Formelzeichen 683
UR;max maximale SperrspannungUth kritische SpannungUth Schwell(en)spannungUth, UP AbschnürspannungURM BetriebssperrspannungURRM periodische SpitzensperrspannungURSM SpitzensperrspannungUS SchleusenspannungUT TemperaturspannungUY Early-SpannungUZ ZenerspannunguR;eff effektive Rauschspannungü Übersteuerungsgrad, ÜbersteuerungsfaktorV BetriebsverstärkungVCC Betriebsspannung, SpeisespannungV0 LeerlaufspannungsverstärkungVGl Gleichtaktverstärkungv GeschwindigkeitvS Sättigungsgeschwindigkeitvdom Domänengeschwindigkeitv mittlere GeschwindigkeitW EnergieW KanalbreiteWS0 gesamte SperrschichtweiteWSR Sperrschichtweite in SperrrichtungWSF Sperrschichtweite in Flussrichtungwp Sperrschichtbreite im p-Gebietwn Sperrschichtbreite im n-GebietX ZufallsvariableX Arithmetischer Mittelwert, Erwartungswertx WegstreckeZ0 BezugswiderstandZ0 Wellenwiderstand
˛ Ionisationsrate˛ Wechselstromverstärkung des Bipolartransistors in Basisschaltung˛n Ionisationsrate der Elektronen˛p Ionisationsrate der Löcher˛Z Temperaturkoeffizientˇ Kleinsignalstromverstärkungsfaktor� Wellenlänge� Parameter der Kanallängen-Modulation
684 Liste verwendeter Formelzeichen
�0 Betriebswellenlänge�� spektrale Breite (Linienbreite, Halbwertsbreite)�Grenz Grenzwellenlänge" Dielektrizitätskonstante, Permittivität"0 elektrische Feldkonstante"r Permittivitätszahl, Dielektrizitätszahl# Temperatur in °C#0 Bezugstemperatur#max maximale Betriebstemperatur�n Elektronenbeweglichkeit�p Löcherbeweglichkeit� spezifischer Widerstand� Raumladungsdichte spezifische Leitfähigkeit Standardabweichung2 Streuung, Varianz� Zeitkonstante� Lebensdauer Ladungsträger�T Transitzeit' Phasenwinkel' elektrisches Potenzial' Makropotenzial! Kreisfrequenz˚ Lichtstrom˝ Stichprobenumfang, Stichprobenraum Wirkungsgrad� Winkel� Stromverstärkung des Bipolartransistors in Kollektorschaltung
Literatur
1. Aschenbrenner, F.: Industrielle Elektronik, Lehrbehelf für Vorlesungen2. Balk, L.J.: Skriptum Elektronische Bauelemente. Bergische Uni Wuppertal, Wuppertal (Okt.
2000)3. Bächtold, W.: Hochfrequenz- und Mikrowellenelektronik II, Skript. ETH Zürich, Zürich (SS
2004)4. Best, J.: Elektrotechnische Grundlagen der Informatik. FH Mannheim, Mannheim (SS 2001)5. Boit, C., Wagemann, H.G.: Vorlesungsskript Werkstoffe und Bauelemente der Elektrotechnik I
(Bauelemente). TU Berlin, Berlin (Okt. 2003)6. Bohrmann, C.: Photoelektrochemie und Elektrolumineszenz. Uni Duisburg-Essen, Duisburg-
Essen (2003). Dissertation7. Böhm, M.: Mikroelektronik. Uni Siegen, Siegen (1997)8. Brennan, K.F., Brown, A.S.: Theory of modern electronic semiconductor devices. Wiley, New
York (2002)9. Brückner, V.: Grundlagen der optischen Nachrichtenübertragung. Deutsche Telekom Unter-
richtsblätter, 10.02.199710. Bundesamt für Sicherheit in der Informationstechnik: Nanotechnologie (2007)11. Cuno, H.H.: Praktische Elektronik. Fachhochschule Regensburg, Regensburg (04/97). Skriptum12. Dodge, J., Advanced Power Technology: IGBT Technical Overview. Application Note
APT0408 (2004)13. Emeis, N.: Bauelemente der Elektronik. HS Osnabrück, Osnabrück (08.10.2001). Vorlesungs-
skript14. Dodge, J., Advanced Power Technology: IGBT Tutorial. Application Note APT0201 (Juli 2002)15. Fairchild Semiconductor: AN9010, MOSFET Basics (Nov. 1999)16. Fairchild Semiconductor: AN9016, IGBT Basics 1 (Feb. 2001)17. Fairchild Semiconductor: AN9020, IGBT Basics 2 (April 2002)18. Föller, M.: Skript zur Vorlesung Elektrotechnische Grundlagen der Informatik, Hochschule
Mannheim, Mannheim (SS 2006)19. Freudenberger, J.: Skript zur Vorlesung Elektrische Schaltungstechnik. FH Konstanz, Konstanz
(SS 2006)20. Gesch, H.: Vorlesung Elektronische Bauelemente I. FH Landshut, Landshut (WS 2006/07)21. Gemmeke, H.: Einführung in die Elektronik für Physiker. ForschungszentrumKarlsruhe, Karls-
ruhe (WS 2002/03)22. Goser, K.: Halbleiterbauelemente, Skriptum zur Vorlesung für Elektrotechniker/Informations-
techniker, Teil ICII. Uni Dortmund, Dortmund (WS 2002/03)23. Goßner, S.: Grundlagen der Elektronik; Halbleiter, Bauelemente und Schaltungen, 9. Aufl.
Shaker-Verlag (2016)
685
686 Literatur
24. Gross, R., Marx, A.: Festkörperphysik, Vorlesungsskript (WS 2004/2005)25. Grundmann, M.: The Physics of Semiconductors. Springer (2006)26. Heering, W.: Elektrophysik, Eine Einführung in die Quantenmechanik und Quantenstatistik.
Uni Karlsruhe, Lichttechnisches Institut, Karlsruhe (2002)27. Hilpert, H.: Halbleiterbauelemente. Teubner Studienskripten, Stuttgart (1972)28. Hirt, N.: Script zur Lehrveranstaltung Analoge und Digitale Schaltungen, Teil: Digitale Schal-
tungen. Technische Universität Ilmenau, Ilmenau29. Kaltenbach, K.: Bauelemente der Leistungselektronik. FH Lübeck, Lübeck (SS 2003)30. Kamp, M.: Angewandte Halbleiterphysik. Uni Würzburg, Würzburg (WS 2006/07)31. Kasper, M.: Grundlagen der Elektrotechnik II. TU Harburg, Harburg32. Kaufmann, A.: Signalübertragung. HTI Biel, Biel (Okt. 2003). Skriptum33. Khanna, V.K.: The Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT, Theory and Design. IEEE Press,
Wiley-Interscience (1952)34. Lehmann, J.G.: Dioden und Transistoren, 3. Aufl. Vogel (1972)35. Maly, W.: Atlas of IC technologies – An Introduction to VLSI Processes. Benjamin/Cummings
Publishing, San Francisco (1987)36. Mayer, O.: Regenerative Energien, Version 337. Mester, R.: Elektrotechnische und Digitaltechnische Grundlagen der Informatik. Uni Frankfurt,
Frankfurt (WS 2006/07)38. Neamen, D.A.: Semiconductor Physics and Devices, Basic Principles. McGraw-Hill (2003)39. Nührmann, D.: Das komplette Werkbuch Elektronik. Franzis (2002)40. ON Semiconductor: AN1541/D, Introduction to Insulated Gate Bipolar Transistors, Sept. 2000
– Rev. 041. Philips Semiconductors: Power Semiconductor Applications42. Reichl, H.: Technologien der Mikrosysteme II. Technische Universität Berlin, Berlin (2001).
Skriptum43. Reithmaier, J.P.: Skriptum Angewandte Halbleiterphysik. Uni Würzburg, Würzburg (WS
2004/2005)44. Rieger, M.: Vorlesung Schaltkreisentwurf. FH Albstadt-Sigmaringen, Albstadt-Sigmaringen
(WS 2001/2002)45. Rohner, S.: Aufbau und Inbetriebnahme eines IGBT-Modul-Teststandes. TU Berlin, Berlin
(2005). Studienarbeit46. Roth-Stielow, J.: Übungen Leistungselektronik 2. Universität Stuttgart47. Säckinger, E.: Broadband circuits for optical fiber communication. Wiley (2005)48. Schuch, B.: Aufbautechniken für die Kfz-Elektronik – Schlüssel zum Produkterfolg. TEMIC
(1998). Sonderdruck aus ATZ Automobiltechnische Zeitschrift49. Semikron: Applikationshandbuch Leistungshalbleiter (2010)50. Schenk, A.: Halbleiterbauelemente (SS 2006)51. Sclater, N., Traister, J.E.: Handbook of Electrical Design Details. McGraw-Hill (2003)52. Schmitt-Landsiedel, D.: Unterlagen zur Vorlesung Elektronische Bauelemente. TU München,
München (WS 1999/2000)53. Schubert, M.: Systemkonzepte. FH Regensburg, Fachbereich Elektrotechnik, Regensburg
(2001)54. Sedra, A.S., Smith, K.C.: Microelectronic Circuits. Oxford University Press, Oxford (2004)55. Söser, P.: Integrierte Schaltungen 2. TU Graz, Graz (Winter 2000). Skriptum56. Steimle, W.: Zur rechnerischen Behandlung des bipolaren Transistors beim Entwurf linearer
Analogschaltungen. Frequenz 30 (1976)57. Stiny, L.: Elektrotechnik für Studierende: Band 1 bis 4. Christiani58. Stiny, L.: Fertigung und Test elektronischer Baugruppen. Christiani (2010)
Literatur 687
59. Stiny, L.: Grundwissen Elektrotechnik und Elektronik, 7. Aufl. Springer (2018)60. STMicroelectronics: AN1491, IGBT Basics. (Dec. 2001)61. Surina, T., Klasche, G.: Angewandte Impulstechnik. Franzis (1974)62. Sze, S.M.: Physics of Semiconductor Devices. Wiley (1981)63. Tempel, M.: Ein Beitrag zum Entwurf von Frequenzumsetzern hoher Dynamik mit GaAs-HBTs.
Berlin (2006). Dissertation64. Thiede, A.: Skriptum Elektronik für den Maschinenbau. Uni Paderborn, Paderborn65. Tietze, U., Schenk, Ch : Halbleiterschaltungstechnik, 11. Aufl. Springer66. TU Berlin, Institut für Hochfrequenz- und Halbleitersystemtechnik, Abteilung Festkörperelek-
tronik: Praktikum Bipolare Bauelemente, Schaltverhalten von Halbleiterdioden67. TU München: Unterlagen zur Vorlesung Elektronische Bauelemente. TU München, München
(WS 1999/2000)68. Unger, H.G., Schultz, W.: Elektronische Bauelemente und Netzwerke I. Vieweg (1968)69. Vishay Semiconductors: Application Note;What Is A Silicon Transient Voltage Suppressor And
How Does It Work? Document Number 88436 (01-Mar-04)70. Waller, G.: Werkstoffe, Bauelemente, Halbleiter, Vorlesungsmanuskript. FH Kiel, Fachbereich
Informatik und Elektrotechnik, Kiel (WS 2001/2002)71. Webster, G. (Hrsg.): Measurement, Instrumentation, and Sensors Handbook. CRC Press (1999)72. Wolfrum, K.: Elektronik. FH Karlsruhe, Karlsruhe (2005)
Stichwortverzeichnis
1. Moment, 2651=f -Grenzfrequenz, 2731=f -Rauschen, 271, 273, 275, 391, 392, 50410/1000µs-Impuls, 1212. Durchbruch, 662DEG, 4033 dB-Bandbreite, 4728/20 µs-Impuls, 121
AAbätzen, 110Abblockkondensatoren, 516Abfallzeit, 72, 97, 224, 285, 287, 451, 503, 536,
537, 682Abgleich-Potenziometer, 485Abklingzeit, 451Ableitwiderstand, 332, 335Abreißdiode, 213Abschalt-Steuerstrom, 450Abschaltthyristor, 450Abschattung, 177, 183Abschnürbereich, 350, 351, 353–355, 370, 371,
378–380, 382, 386, 387, 414, 417Abschnürspannung, 341, 349, 351–354, 356,
683Abschnürung, 349, 365Absorptionszone, 172, 173Abstimmdiode, 184, 186Abstrahlcharakteristik, 137, 139, 145, 159Abweichung, mittlere, 259, 267Active Mode, 582Address Access Time, 584Address Setup Time, 584Adressdekoder, 579, 580, 582, 586Adressierung, 577, 582, 613, 624
Advanced Low-Power-Schottky-TTL, 555Advanced Schottky-TTL, 555AIM-Verfahren, 588air mass, 178Akkumulation, 358Akkumulatoren, 1Aktivmatrix-Displays, 149Akzeptoratom, 42, 114Akzeptoren, 6, 25, 33–36, 38, 358, 363, 680Al2O3-Keramik, 520Alterung, 178, 485, 508Aluminium, 17, 32, 116, 134, 146, 326, 357,
360, 402Aluminiumgalliumarsenid, 133Amplitude, mittlere, 259Amplituden
~bedingung, 492, 495~frequenzgang, 493, 496~gang, 488~mittelwert, 267~rand, 494
Anlaufbereich, 353, 354Anode, 77, 125–127, 131, 132, 146–148, 201,
203, 205, 421, 423–429, 445, 449, 450,452, 453, 456, 457
Anodenkürzung, 450, 451Anregungsenergie, 35, 147, 148Anreicherung, 357, 358, 363Anreicherungstyp, 340, 341, 359, 360, 362,
363, 365, 368, 370–372, 563, 594Anreicherungstyp, n-Kanal, 368, 406, 413Anschlussdrähte, 113, 257Anschlusskontakte, 113, 519Ansprechzeit, 120, 124, 144Ansteuerung, harte, 457
689
690 Stichwortverzeichnis
Anstiegsgeschwindigkeit, 428, 438, 472,500–502, 508
Anstiegsverzerrungen, 501Anstiegszeit, 285, 286, 439, 495, 503, 558, 682Antifuse-Technik, 587, 588Antisättigungsschaltung, 288Anzeigen, optische, 143Application Specific Integrated Circuit, 531,
627Äquivalenztypen, 219Arbeitsbereich, erlaubter, 257Arbeitsgerade, 168, 249, 289Arbeitspunkt, 85, 90–93, 129, 141, 153, 161,
169, 180, 192, 197, 199, 210, 224, 225,237, 241, 244–247, 249, 250, 252, 271,274, 275, 277, 278, 280, 282, 288, 289,294–300, 302, 304, 305, 307, 308, 314,317, 318, 335, 346–349, 351, 353, 362,364–367, 369–371, 373, 379, 380, 417,510, 533, 561, 678, 681, 682
Arbeitspunkt, temperaturunabhängiger, 356Arbeitspunktstrom, 275Arbeitspunktstrom, optimaler, 275Arbeitswiderstand, 232, 249, 299, 314, 389,
509, 514, 565Arbitrationslogik, 615ASCR, 449ASIC, 531, 627–635, 637, 641, 645, 670ASIC-Entwurf, 632, 634, 635Asymmetrical Silicon-Controlled Rectifier, 449Atom
~bindung, 11~hülle, 21~kern, 9, 14~masse, 5~rümpfe, 42, 363Wertigkeit, 21
Ätzgräben, 111Aufenthaltswahrscheinlichkeit, 194Auffrischen, 571, 583, 607Auger-Effekt, 142Auger-Rekombination, 142Ausbreitungsgeschwindigkeit, 160Ausgangs
~aussteuerbarkeit, 466, 467, 469, 472, 475,517
~kennlinie, 238, 239, 245, 249, 305, 348,365, 367, 369, 372, 380
~kennlinienfeld, 234, 238–241, 244–246,249–251, 299, 352, 353, 368, 371,372, 381, 382, 387, 412, 413
~kreis, 229, 231, 232, 238, 249, 280~lastfaktor, 536~leistung, 1, 142, 157, 161, 204, 206, 210,
212, 284, 502, 509, 516, 526, 561~leitwert, differenzieller, 244-Reflexionsfaktor, 312~ruhepotenzial, 464, 467, 484~spannung, 129, 149, 187, 189, 233, 234,
247, 265, 281, 305, 318, 389, 391,469, 470, 472, 473, 475, 476, 480,483, 484, 486, 492, 493, 500–503,507–509, 511, 514, 532–534, 541,543, 550, 554, 557, 561, 673, 682
~strom, 234, 241, 278, 470, 480, 504, 508,509, 557, 558, 565
~strom, maximaler, 473~stufe, 496, 504, 508, 509, 515, 516, 547,
550~widerstand, 231, 244, 298, 299, 315, 316,
344, 355, 370, 380, 472, 480, 481,497, 507–509, 516, 681
~widerstand, differenzieller, 297~widerstand, dynamischer, 370, 371
Ausgangsamplitude, maximale, 502Ausräumfaktor, 286, 287, 677Ausräumstrom, 71, 286, 287, 439, 446, 679Ausräumzeit, 72, 96, 439, 682Ausschaltverhalten, 439, 452Ausschaltzeit, 285, 287Aussteuerung, lineare, 232Aussteuerungsbereich, 90, 484, 513Aussteuerungsgrenze, 467Austrittsarbeit, 17, 74, 75, 146, 148, 357, 678Autokorrelationsfunktion, 268Avalanche Induced Migration, 587, 588Avalanche-Effekt, 62, 130, 591, 595Avalanchefestigkeit, 413Avalanche-Fotodiode, 172
BBackwarddiode, 199Bad Block Management, 599, 600Bad Blocks, 599, 600Bahn
~gebiet, 43, 415, 417, 458
Stichwortverzeichnis 691
~widerstand, 59, 84, 88, 93, 103, 186, 198,327, 379, 382, 408, 435, 680
Ball, 522, 530Band
~abstand, 6, 20, 22, 27–29, 35, 36, 65, 98,132, 138, 327–329, 677
~abstand, Temperaturabhängigkeit, 29~diagramm, 16~kanten, 16, 20, 24~lücke, 15, 21, 24, 25, 27, 65, 132, 164,
277, 327, 402, 677~übergang, direkter, 24~übergang, indirekter, 24
Bänderdiagramm, 16, 328Bändermodell, 15, 24, 34, 50, 52, 195, 201bandgap, 15Bandlückenbreite, 148BARITT-Diode, 211, 212Barium, 17Bariumtitanat, 607Barren, 162Basis, V, 36, 146, 152, 193, 220–230, 232–235,
239–244, 247, 250–253, 257, 270, 272,276, 278, 280, 281, 284–288, 290–292,296–299, 306, 310, 317–321, 326–329,331, 332, 335–338, 353, 378, 394, 401,410–413, 423, 429–431, 452, 454, 458,481, 484, 510, 511, 539, 543, 545–548,551–554, 569, 588, 606, 609, 611,678–680, 682
Basisbahnwiderstand, 274, 275, 281, 284, 296,299, 317, 326, 327
Basis-Emitter-Diode, 221, 223, 239–241, 243,250, 276, 318, 332, 336, 547, 569, 588
Basis-Emitter-Verlustleistung, 252, 253Basis-Kollektor-Diode, 220, 222, 227, 240,
241, 243, 244, 250, 284, 547Basis-Kollektor-Grenzschicht, 228, 241, 353Basis-Kollektor-Spannung, 240Basisruhespannung, 234Basis-Ruhestrom, 250Basisschaltung, 229, 230, 242, 243, 278, 281,
283, 290–292, 306, 307, 345, 430, 431,677, 683
Basisvorspannung, 234, 250Basisweiten-Modulation, 240Batterien, 1Bauelemente
aktive, 1, 217
diskrete, 3induktive, 1lineare, 1, 2nichtlineare, 3passive, 1
Baugruppe, 1Bauteile, optoelektronische, 120Belastungsschwankungen, 129Beleuchtungsstärke, 165, 168, 169, 171, 173,
589Benzolringe, 6Bereich
aktiver, 232, 240, 241, 285, 287, 288, 320,326, 350, 353, 355, 416
Ohm’scher, 351, 353, 368parabolischer, 351
Bereiche, verbotene, 15, 533Beschleunigungsdioden, 554Besetzungsinversion, 152, 153Besetzungswahrscheinlichkeit, 18–20Besetzungswahrscheinlichkeit,
energieabhängige, 18beta cuttoff frequency, 281Betrieb, invertierender, 475Betrieb, nichtinvertierender, 475Betriebsart, 204, 205, 223, 224, 352, 376, 548,
579, 610Betriebseigenschaften, 238, 314Betriebsspannung, 121, 216, 217, 225, 241,
249, 343, 389, 460, 465, 467, 474, 475,485, 486, 509, 517, 532, 533, 538, 544,545, 551, 585, 596, 603, 611, 617, 682,683
Betriebsspannung, Abblocken, 516, 549Betriebsspannung, Schwankungen, 129, 512,
532Betriebsspannung, symmetrische, 466, 509Betriebsspannungsdurchgriff, 472, 485Betriebssperrspannung, 121, 683Betriebsstromaufnahme, 472Betriebstemperatur, 38, 180, 216, 434, 436,
486, 552, 684Betriebsverhalten, Transistorvierpol, 314Betriebsverstärkung, 476, 486, 487, 683Betriebsverstärkung, Polstelle, 493Betriebswellenlänge, 135, 684Beweglichkeit, 31, 35–37, 171, 202, 203, 225,
339, 343, 355, 369, 375, 384, 401–403BFL, 540
692 Stichwortverzeichnis
Biasstrom, 481BICMOS, 527, 539, 558, 559, 572, 573BICMOS-Technologie, 573Bindung, kovalente, 11, 33Bindungslücke, 33Bindungssystem, konjugiertes, 6Bipolartransistor, 217, 218, 222, 245, 258, 269,
270, 282, 290, 319, 327, 331, 338, 344,353, 355, 370, 376, 377, 381, 383, 384,391, 392, 402, 405, 411, 423, 471, 572
Bipolartransistor, Großsignalgleichungen, 277Bipolartransistor, rechnerische Behandlung,
276bi-stable noise, 271Bitleitung, 578, 586–588, 591, 594, 597, 601,
612, 613, 617Blockierbereich, 126, 127Blockierbetrieb, 427, 432Blockierkennlinie, 426, 428, 433, 435Blockierrichtung, 427, 428, 436, 437, 440Blocktransfer, 624Bode-Diagramm, 491, 493–496, 498body diode, siehe Bodydiodebody effect, 361Bodydiode, 361, 386, 394Boltzmann-Konstante, 18, 27, 269, 277, 505,
679Boltzmann-Statistik, 20Boltzmann-Verteilung, 20Bonddraht, 117, 136, 646Bottom-Up-Design, 633, 634Boundary Scan, 649Bragg
-Laser, 157-Reflektor, 158-Reflexion, 158-Spiegel, 158-Struktur, 158
breakdown, 105, 122, 250, 257breakdown voltage, 105, 121, 122Brechungsindex, 138, 155Brechungsindexführung, 157Breitstreifendioden, 157Brom, 6Brückenschaltungen, 425BSIM-Modell, 378Buffer, 536, 615Buffered FET Logic, 540buffer-layer, 406, 408
Bulk, 337, 342, 357, 359–361, 363, 379, 381Bumps, 523, 524Burn-In, 651burried layer, 325Burrus-LED, 138Burst Mode, 624burst noise, 271Burst-EDO-RAM, 624Busleitung, 551Bypass-Diode, 183
CCache, 611, 624Cadmiumsulfid (CdS), 6CAD-Werkzeuge, 632, 637–639, 645CAS-before-RAS-Refresh, 622, 623case temperature, 253CAS-Zugriffszeit, 622CC-OPV, 470, 471Chalkogenide, 609, 610channel, 337Channel Hot Electron Injection, 591Channel Hot Electron Process, 591, 602Channeled Gate Array, 630CHEI, 591Chemical Vapor Deposition, 357, 360CHE-Prozess, 591, 602Chip, 134, 162, 329, 399, 471, 520, 522–524,
526, 530, 546, 550, 564, 573, 582, 586,588, 589, 592, 593, 596, 600, 603, 608,614, 615, 618, 620, 621, 623, 627–631,636, 643, 645–647, 650, 670, 673, 676
Chip Select, 550, 582Chip-Carrier, 520Chlor, 6chopper stabilized opamps, 486Chopper-Stabilisierung, 484clamping voltage, 121, 122CMOS, 329, 342, 389–391, 399, 482, 486, 500,
527, 538, 539, 543, 544, 558, 559,561–573, 590, 597, 598, 607, 609–612,642, 658, 673
CMOS-Gatter, 563, 564, 567, 570, 573CMOS-ICs, 564CMOS-Inverter, 389, 390, 565, 566, 568, 569CMOS-Schaltungstechnik, dynamische, 563CMOS-Schaltungstechnik, statische, 563
Stichwortverzeichnis 693
CMOS-Technologie, 389, 390, 500, 561,563–565, 598, 609, 611
CMRR, 477, 478, 508, 677Column Adress Strobe, 618common mode gain, 477common mode input resistance, 479Common Mode Rejection Ratio, 477Complex Programmable Logic Device, 653Concurrent Refresh, 622continuous current, 252, 386Control, 550Corner Analyse, 640CPLD, 653, 656, 658, 666, 670Current Controlled RF-resistor, 190current crowding, 326Current Feedback Amplifier, 470current limiter diode, 130current mirror, 512cut-off current, 242cut-off region, 223CVD-Prozess, 360CV-OPV, 470, 471Czochralski-Verfahren, 175
DDangling Bonds, 176Darlington, komplementärer pnp, 331Darlington, npn, 331, 332Darlington, Standard-pnp, 331Darlington-Schaltung, 330, 331, 549Darlington-Schaltung, komplementäre, 330Darlington-Schaltung, Standard, 330Darlington-Transistor, 330–336, 515, 549, 552Darlington-Transistor, komplementärer, 335Data Valid to End of Write, 584Datenbus, 582, 587, 599, 613–615, 625Datenbus, bidirektionaler, 614Datenleitung, 578, 613, 614, 617Datenspeicher, 575, 579–581, 585, 598Datenwort, 578, 587, 610Datenwortbreite, 578, 582Dauereffektivstrom, 441Dauerflussstrom, maximaler, 102, 679Dauergrenzstrom, 108, 441Dauerstrom, maximaler, 252, 386DBR-Laser, 157, 158DC current gain, 280DCFL, 539
DC-Leerlaufverstärkung, 474, 488DDR-SDRAM, 625de Broglie, 23Debye-Länge, 43, 44, 679Defektelektron, 26Defektmanagement, 599Defektübergang, 142Degradation, 176, 590delay time, 285delayed domain mode, 205depletion type, 340Depletionmode, 341DFB-Laser, 157, 158DGFET, 399DH-Struktur, 138, 139DIAC, 124, 125, 448Diamant, 5, 13, 28Diamond-Transistor, 471Dichteabweichung, 44Dichtefunktion, 264, 265, 680Dickfilmtechnik, 520Dickschichtschaltung, 521, 522Dickschichttechnik, 520, 521Die-Bonden, 521Dielektrizitätskonstante, absolute, 369, 384Dielektrizitätskonstante, relative, 28, 369, 384differential input resistance, 479Differenz
~ansteuerung, 479~eingang, 471, 493~eingangsspannung, 465, 487~eingangswiderstand, 472, 478, 479, 508,
681~signal, 476–478~steilheit, 470~verstärker, 463, 465, 478, 504, 508–514,
529, 542~verstärkereingangsstufe, 481~verstärkung, 469, 470, 472–474, 478, 480,
484, 508, 513, 514, 677Differenzialgleichungen, lineare, 2Diffusion, 32, 41, 47, 53, 59, 111–113, 227,
320, 325, 326, 360, 398, 406, 424, 519Diffusion, doppelte, 376Diffusion, einfache, 375, 376Diffusions
~ spannung, 57~kapazität, 60, 61, 70, 94, 96, 120, 184,
281, 318, 677
694 Stichwortverzeichnis
~konstante, 28, 30, 31, 677~länge, 30, 44, 55, 679-Planartechnologie, 110~spannung, 43, 44, 47, 48, 52, 56, 58, 59,
67, 78, 82, 187, 355, 356, 682~strom, 31, 42, 197, 678
DIMOS- Technologie, 394Diode
Avalanche-~, 130Bandgap-Referenz-~, 124~clusterschaltung, 557Datenblätter, 103Dreischicht~, 124Einpress~, 117Flächen~, 110, 113, 115Fünfschicht~, 124, 422Gleichrichter~, 80, 83, 102, 119, 213Gleichstromwiderstand, 91, 681Golddraht~, 110, 114Herstellung, 109Höchstfrequenz-~, 120ideale, 84, 86integrierte, 77Kennlinie, linearisierte, 84Klein~, 117Legierungs~, 110Leucht~, 131, 132, 144, 152~logik, 79Lumineszenz~, 131, 132Mehrschicht~, 124parasitäre, 517Schalt~, 72, 97, 119, 213Scheiben~, 117Schraub~, 117Spitzen~, 110, 114Stromregel~, 130, 131Suppressor~, 120–122~tablette, 113Temperatureffekte, 98Transient Voltage Suppressor, 120Universal~, 119Verhalten, statisches, 83Vierschicht~, 124–128, 422, 459~wechselstrom, 93Wechselstromwiderstand, 91Widerstand, differenzieller, 91
diode alternating current switch, 124Diode-Transistor-Logik, 540Dipoldomäne, 205
Direct Coupled FET Logic, 539Direct Memory Access, 622Dispersion, 160, 161Distributed-Bragg-Reflection-Laser, 158Distributed-Feedback-Laser, 158DMOS-Struktur, 393, 394, 396Domäne, 203Domänengeschwindigkeit, 204, 683Domänenlöschbetrieb, 205Domänenverzögerungsbetrieb, 205Domino-Logik, 572Donator, 6, 25, 33–38, 221, 403, 680Doppelbasisdiode, 458Doppelbindung, 6Doppeldriftdiode, 210Doppelheterostruktur, 138, 156, 162Dotieren, 7, 20, 32, 174Dotierstoffkonzentrationen, 49, 113, 424Dotierung
oxidative, 6reduktive, 6resultierende, 35
Dotierungs~änderungen, 112~dichte, 42, 320, 402, 409~gebiet, 39, 40~grad, 34~profil, 56, 112, 207, 426~verlauf, 39, 40
DOVETT-Diode, 212DPRAM, 615Drahtbonden, 522, 523Drain, 337, 338, 345–350, 352–355, 359–371,
373, 376, 377, 379, 380, 385–388,391–393, 396, 398, 399, 415, 456, 561,565, 570, 586, 590–593, 595, 597, 602,679, 682
Drain-Abschnürspannung, 349, 365, 367, 371,682
Drain-Gate-Durchbruch, 350, 352, 385Drain-Gate-Durchbruchspannung, 385Drain-Pinch-off-Spannung, 349Drain-Ruhestrom, 370Drain-Sättigungsstrom, 347, 349, 352, 354,
386, 679Drainschaltung, 344, 345Drain-Source
-Durchbruchspannung, 385, 386-Durchlasswiderstand, 376
Stichwortverzeichnis 695
-Leckstrom, 387-Sättigungsspannung, 353-Spannung, 338, 347, 348, 350, 355, 364,
365, 369, 371, 373, 380, 386, 388,415, 561, 591, 592
-Strecke, 338, 350, 362, 363, 373, 377, 385,565
-Widerstand, dynamischer, 355Drain-Source Pinch-off Voltage, 365, 367, 371Drain-Sourcespannung, maximale, 351Drainstrom, maximaler, 387Drainstrom, minimaler, 387DRAM, 604, 608, 616–618, 620–626DRC, 644Dreischichtstruktur, 68Drift
~beweglichkeit, 31~geschwindigkeit, 202, 402~kompensation, 483~strom, 31~zone, 207–209, 408, 411, 414
Drive-R-Amplifier, 471DSM-Laser, 157DTL, 539–542, 546, 554DTLZ-Logik, 542Dual-Gate MOSFET, 399, 400Dual-Port-RAM, 615Dunkelstrom, 164, 165, 171Dünnfilmtechniken, 146Dünnfilmtransistoren, 149Dünnschichttechnik, 405, 521Dünnschichttransistoren, 405Dünnschichtzellen, 176Durchbruch, 61–65, 67, 68, 79, 83, 102, 103,
126, 128, 130, 224, 240, 243, 250–252,257, 350, 352, 385, 386, 393, 408, 542,569, 588, 596
Durchbruch 2. Art, 252, 257Durchbruch l. Art, 252Durchbruch, reversibler 1., 103Durchbruch, zeitabhängiger, 595Durchbruchbereich, 72, 73, 80, 81, 83, 102,
128–130Durchbruchkennlinie, 129Durchbruchsladung, 596Durchbruchspannung, 62, 63, 65, 66, 73, 83,
88, 97, 101, 102, 105, 115, 116,119–121, 124, 128, 130, 172, 199, 243,
244, 251, 329, 385, 386, 398, 413, 426,433, 448, 569, 596, 682
Durchbruchvorgänge, 65Durchgreifeffekt, 68Durchgreifspannung, 68, 240Durchgriff, 61, 67, 68, 408Durchgriffspannung, 68Durchlass
~bereich, 59, 69, 72, 82, 84, 86–88, 92, 94,95, 101–103, 114, 126, 127, 197,199, 226, 234, 285, 286
~betrieb, 55, 60, 115, 131, 192, 223, 415~kennlinie, 88, 124, 224, 426, 428, 432, 434~strom, 59, 68, 69, 73, 79, 81, 82, 89, 95,
96, 99, 104, 124, 126–128, 140, 141,197, 226, 346, 679
~strom, temperaturabhängiger, 99~verzögerungszeit, 95~verzugszeit, 95~widerstand, 68, 114, 115, 119, 297, 299,
392, 396, 397, 408–410, 419, 456~zustand, 124, 239, 286, 410, 411, 413,
435, 450, 458Durchlaufverzögerungszeit, 658Durchschaltzeit, 439, 682Dynamic Random Access Memory, 616
EE2PROM, 592Early-Effekt, 241, 277, 290, 299, 349, 355, 365,
371, 511Early-Spannung, 240, 241, 244, 276, 328, 335,
336, 355, 371, 373, 374, 683Ebers-Moll-Modell, 290–293Eckfrequenz, 488ECL, 527, 538, 539, 542–544, 555, 558, 572,
573, 658, 659, 663ECL-Schaltkreise, 542, 544, 555Edelgaskonfiguration, 15EDO-RAM, 624EEPROM, 582, 583, 592, 593, 595–597, 631,
663, 675, 676Effektivwert, 266, 267, 271, 434, 441Eigenhalbleiter, 27Eigenleitung, 17, 22, 26, 36, 37, 39Eigenleitungsbereich, 37Eigenleitungsdichte, 27, 29, 35, 40, 680Eigenleitungskonzentration, 55
696 Stichwortverzeichnis
Eigenschaften, dynamische, 224, 419, 437Eigenschaften, statische, 224Eigenschwingungen, 21Eindringtiefe, elektrisches Feld, 44Einfachbindung, 6Eingangs
~fehlspannung, 473, 484~fehlstrom, 482, 483~gleichtaktspannung, 476~impedanz, 198, 317, 345~kapazität, 382, 383, 390, 479, 568~kennlinie, 224, 234–236, 238, 250, 305,
352, 353, 368~kennlinienfeld, 234, 237, 248~klemmdioden, 547~kreis, 229, 232, 234, 249, 250, 304, 305,
389~lastfaktor, 535~leistung, 1, 166, 284~rauschleistung, 273-Reflexionsfaktor, 312~ruhestrom, 473, 481, 483, 508~schutz, 398, 517-Schutzschaltung, 568, 569~schwellenspannung, 533~spannungsdifferenz, 469, 470, 473~stufe, 392, 481, 484, 496, 508, 509, 515~widerstand, differenzieller, 225, 297
Einmodenspektrum, 160Einpulsschaltung, gesteuerte, 442Einraststrom, 434, 445Einrichtungs-Thyristortetrode, 448Einrichtungs-Thyristortriode, 422Einsatzspannung, 362Einschalt
~stromsteilheit, kritische, 435~verluste, 437~verzögerung, 285, 287~verzugszeit, 438~vorgang, 69, 97, 438, 454, 456~widerstand, 373, 376, 417, 681~zeit, 95, 255, 285, 287, 681, 682~zeitkonstante, 286
Einschnürung, 252Einschwingzeit, 502, 503, 682Einstein-Beziehung, 31Eintaktendstufe, 509Einzelatom, 13–15
Einzeltransistoren, 220, 319, 321, 331, 332,335, 337, 381, 385–387, 464, 555, 643
Electrically Erasable PROM, 592elektrisches Feld, Stärke, 17Elektrolumineszenzstrahler, 132Elektron
Masse, durchschnittliche effektive, 28Ruhemasse, freies, 29, 680
Elektronen~bahnen, 14~beweglichkeit, 28, 369, 402, 403, 684~dichte, 27, 35, 38, 59, 359, 402, 680~fehlstelle, 26heiße, 120~lawine, 62~lücke, 26~paarbindung, 11, 12-Sättigungsgeschwindigkeit, 204~schalen, 15~strom, 59, 78, 226, 228, 241, 244, 327,
410, 449~volt, 17
Elektronengas, zweidimensionales, 403Elektronentransfer-Bauelemente, 201Elektron-Loch-Plasma, 410Element, 5, 32, 33, 204, 409, 423, 450, 567,
605, 637Elementarereignis, 261Elementarladung, 166, 339, 678Elementarteilchen, 18, 193Emission, stimulierte, 152Emissionskoeffizient, 87, 100, 680Emitter, 133, 146, 162, 220–226, 228–230,
232–235, 239–241, 243, 244, 247,250–252, 257, 270, 279–281, 285, 286,291, 293, 296–298, 304, 306, 307,317–321, 323, 324, 326–328, 331, 332,335–338, 406, 410–413, 429, 431, 454,458, 460, 510, 511, 513, 514, 539, 542,543, 546, 548, 552–554, 558, 679, 680,682
Emitterbahnwiderstand, 295Emitter-Basis-Durchbruchspannung, 250, 682Emitter-Basis-Grenzschicht, 227, 240Emitter-Basis-Reststrom, 243, 679Emitterdiode, 221–224, 228, 291, 299Emittereffizienz, 327Emitter-Injektionswirkungsgrad, 327Emitterrandverdrängung, 326, 327
Stichwortverzeichnis 697
Emitterreststrom, 243Emitterschaltung, 223, 224, 229, 230, 233, 234,
239, 240, 242–246, 248, 249, 277,280–284, 292, 299–306, 309, 310, 317,318, 344, 345, 383, 513, 514
Emittersperrschichtkapazität, 285, 677Empfindlichkeit, spektrale, 167Enable, 550, 582, 614Endstufe, 508, 515, 554, 555Endurance, 590, 600Energie
~abstand, 16, 147, 678~bänder, 15~linien, 9, 15~niveau, 9, 13–15, 21, 24, 34, 35, 65, 132,
142, 152, 176, 195, 197, 678potenzielle, 9, 20~quantelung, 193~werte, 9, 14, 18, 20, 22, 202~zufuhr, 9, 21, 26, 33–36, 194
ENFET, 404enhancement type, 340Enhancementmode, 341Entkoppelkondensator, 549Entladungen, statische, 338, 344Entwurfsablauf, 632, 637, 638Enzym-FET, 404Epitaxial-Planartechnik, 111, 132Epitaxialschicht, 132Epitaxialtechnik, planare, 320, 323Epitaxie, 32, 110–112, 320, 321, 325, 326, 407,
648Epitaxie-Insel, 325, 326EPLD, 653, 656EPROM, 531, 583, 588–590, 592–595, 597,
598, 631, 670, 674–676Erasable Programmable Logic Device, 653ERC, 644Ereignis, 261–263Ereignisse, günstige, 263Ergebnismenge, 261Ergebnisraum, 261, 262Erholungszeit, 96, 386, 394, 682Erholzeit, 72, 96, 504, 620, 682Ersatzschaltung, formale, 289, 301Ersatzschaltung, physikalische, 289Erwartungswert, 259, 264–266, 504, 683Esaki-Diode, 199Esaki-Strom, 197
ESAKI-Tunneln, 197ESD-Schutz, 399ETOX-Zelle, 602Evaluierungsphase, 571Exemplarstreuungen, 127, 131, 140, 302, 344,
435, 474, 532Exziton, 136, 147, 148
FFabry-Perot-Laser, 155, 157Fabry-Perot-Resonator, 157fall time, 285FAMOS-Transistor, 590, 591Fan-In, 535, 548Fan-Out, 536, 548Farbtemperatur, 134FAST-Baureihe, 556Fast-Page-Mode, 624fast-recovery diode, 213FCT, 456, 457, 558, 559FeFET, 608Fehlerarten, 647Fehlerwahrscheinlichkeit, 259, 602Feldeffekttransistor, 20, 337, 338, 344, 352,
384, 456, 608Isolierschicht-~, 339MOS-~, 339, 359, 410organische, 6Sperrschicht-~, 339
Feldemission, innere, 64Feldempfindlichkeit, 216Feldoxid, 360, 587Feldstärkedurchbruch, 68, 408Feldstrom, 31, 54, 679Fenster, eingeätzte, 132Fermi
-Dirac-Verteilung, 18, 20-Niveau, 17–20, 51, 74, 678-Statistik, 15-Verteilungsfunktion, 18
Ferroelectric Random Access Memory, 606Ferroelektrika, 606Festkörper, 15, 18, 19, 148, 176Festkörperphysik, 22, 147Festwertspeicher, 585, 587, 588, 592FET, ionensensitiver, 403FETs, Logic Level, 398Field Programmable Devices, 652
698 Stichwortverzeichnis
Field Programmable Gate Array, 653, 670Field Programmable Logic Array, 652Field-Controlled Thyristor, 456Firmware, 585, 598, 671, 674Flachbandfall, 357, 362, 366Flächenbedarf, 176, 419, 545, 560, 562, 597,
639Flächendioden, 110, 113, 115Flächenstrahler, 136, 137, 139Flankensteilheiten, 536Flash-EEPROM, 596, 597Flash-EPROM, 583, 596, 674, 676Flash-Speicherzelle, 597, 599, 663, 666flicker noise, 271Flip-Chip-Bonden, 523, 524Flipflop-Technik, 577Floating Gate, 570, 590–592, 594–597, 599,
602Floating Gate-EEPROM, 594Floorplanning, 641FLOTOX-EEPROM-Zelle, 597FLOTOX-Speicherzelle, 594, 595Flussbereich, 72, 77, 95, 96Flussbetrieb, 84, 85, 440Flüssigkristall-Flachbildschirme, 405Flussspannung, 58, 60, 82, 86, 97, 197, 409,
428, 459, 541, 565, 569, 682Flussstrom, 58, 352, 409Formierungsstromstoß, 114forward region, 222Fotodiode, 144, 162–166, 168–173, 179Fotoeffekt, 163Fotoelement, 168, 169Fotolack, 110, 326Fotolackmaske, 112Fotostrom, 165, 166, 168, 169, 182Fotovoltaikanlagen, 169, 175Fowler-Nordheim-Tunneleffekt, 594, 602Fowler-Nordheim-Tunnelung, 597FPGA, 653, 656, 670–676FPGAs, reprogrammierbare, 671FPLA, 652FRAM, 606–609FRAM-Zelle, 608, 609FREDFET, 398Freigabeeingang, 551Freilaufdiode, 80, 183, 361, 394, 406, 415–418,
449Freiwerdezeit, 434, 440, 441, 446, 449
Fremdatome, 12, 25, 32, 34, 142, 175, 320Frenkelexziton, 147Frequenz
~abstimmung, 80, 187, 188kritische, 493~modulation, 184, 187~vervielfachung, 184
Frequenzgang, 473, 487–490, 492, 496, 498,499, 502
Frequenzgangkorrektur, 465, 487, 490, 491,494–496, 499, 501, 517
Frequenzgangkorrektur, angepasste, 498Frequenzgangkorrektur, universelle, 498Frequenzkompensation, 473Fresnelreflexion, 155Full Power Bandwidth, 502, 503Full-Custom-ASIC, 629, 633Full-Custom-Entwurf, 629, 630, 634Füllfaktor, 181, 182Funkelrauschen, 259, 271, 504, 505Funktionsersatzschaltung, 289, 299, 300Funktionsspeicher, 575Fusable Links, 587, 653Fuse-Technik, 587, 588
GGA, 576GaAs-MESFET, 400–402gain-bandwidth-product, 282gain-guiding, 157Gajski-Diagramm, 635GAL, 653, 655, 656, 663–665Galliumaluminiumarsenid (GaAlAs), 133Galliumarsenid (GaAs), 6, 133Galliumarsenidphosphid (GaAsP), 133Galliumnitrid (GaN), 133Galliumphosphid (GaP), 133Galliumsulfid (GaS), 6Galliumtellurid (GaTe), 6Gate, 130, 337–341, 344, 346, 347, 349, 350,
355, 357–359, 362–369, 372, 373, 377,379, 382–388, 390–392, 396, 397,399–401, 403, 405, 406, 410, 411, 413,417–419, 421, 423, 426–428, 430, 434,435, 439, 443, 445, 446, 450, 452–458,461, 531, 564, 568, 570, 571, 576, 586,590–595, 597, 599, 601–603, 608, 616,629–631, 634, 642, 653, 682
Stichwortverzeichnis 699
-Abschnürspannung, 347, 366, 682-Drain-Kapazität, 384-Gleichstrom, 341-Isolierung, 340-Kanal-Sperrschicht, 346~kapazität, 344, 362, 383, 384, 416, 677~ladungsdiagramme, 418~länge, 383, 384~oxid, 357, 360, 362–364, 403, 568-Oxidschicht, 369, 384-Pinch-off-Spannung, 347~schaltung, 345, 399-Strom, 346, 434
Gate Array, 531, 576, 629–631, 634, 653Gate Turn Off Thyristor, 435Gate-Commutated Thyristor, 457Gate-Source Pinch-off Voltage, 366Gate-Source-Durchbruch, 377, 385, 682Gate-Source-Durchbruchspannung, 377, 385,
682Gate-Source-Kapazität, 382, 383Gate-Substrat-Durchbruch, 568Gatteräquivalente, 671, 672GCT, 457Gegenkopplung, 303, 318, 336, 390, 472, 474,
476, 480, 481, 485–491, 493, 496, 497,506, 507, 513, 514
Gegenkopplung, elektrische, 376Gegenkopplung, thermische, 356, 376Gegenkopplungsfaktor, 480, 486, 487, 679Gegenkopplungswiderstände, 482, 514, 517Gegentakteingangswiderstand, 478Gegentaktendstufe, 391, 508, 509, 548, 549,
551Gegentaktschaltung, 389Gegentaktsignal, 478Gehäusebauformen, 117, 118, 323Gehäusetemperatur, 253, 255, 387, 681Generation, 22, 26, 30, 55, 164, 165, 176, 272,
596, 603, 624, 649Generationsenergie, 27Generic Array Logic, 653Geometriedomäne, 636Geometriefaktor, 369Geradeausverstärkung, 507Gesamtverlustleistung, 252Geschwindigkeit, mittlere, 31GG-Laser, 157Giacoletto-Ersatzschaltbild, 317
Giant Magneto Resistance Effekt, 604Gipfelspannung, 459–461Gipfelstrom, 459Gitterbaufehler, 30Gitterfehler, 32, 142Gitterschwingungen, 22, 26, 132, 355, 375Gitterstörungen, 25Glas, 13, 117, 146, 176, 521Gleichanteil, 93, 259, 266, 267, 444Gleichgewicht, 26, 42, 59
thermodynamisches, 17–19, 26, 27, 39Gleichrichter, 80, 97, 107, 191, 442Gleichrichterdioden, 80, 83, 102, 119, 213Gleichrichterzelle, steuerbare, 421Gleichspannungsaussteuerung, 478Gleichstrom-Kleinsignalersatzschaltbild, 295,
379Gleichstromverstärkung, 224, 229, 245, 280,
430Gleichstromverstärkungsfaktor, 223, 229, 276,
278, 286, 677Gleichtakt
~aussteuerbarkeit, 466, 473~aussteuerung, 476, 482, 511~betrieb, 476, 477~eingangswiderstand, 473, 478, 479, 508,
681~signal, 477, 478~spannung, 476, 478, 509, 511~unterdrückung, 473, 476–478, 507, 508,
511, 512, 677~verstärkung, 476–478, 683
Glue Logic, 598, 599Golddrahtdiode, 110, 114Grabenstrukturen, 392Gradationsexponent, 56, 680Granularität, 671, 673Grenzdaten, 101, 104, 250, 384, 387Grenzfläche, 132, 155, 215, 362, 363, 403, 593,
594, 596Grenzfrequenz, 36, 141, 171–173, 186, 198,
281–284, 296, 320, 328, 345, 383, 384,472, 473, 488–490, 495, 501, 507, 508,678
Grenzlastintegral, 108, 442Grenzschicht, 42, 47, 49, 52, 53, 59, 65, 225,
296, 327, 358, 359, 363, 364, 446, 593,594
Grenzspannungen, 101, 250, 384
700 Stichwortverzeichnis
Grenzströme, 101, 102, 250, 252, 384, 386Grenzwerte, 68, 107, 142, 216, 238, 240, 243,
256, 257, 436, 532, 533Großsignal
~aussteuerung, 224, 225, 501-Bandbreite, 502, 503~betrieb, 289, 472~gleichungen MOSFET, 371~modelle, 290~stromverstärkung, 229~verstärkung, 229
Grundmaterial, 111, 134, 137, 319, 345, 359GTO, 435, 450, 452GTO-Thyristoren, 450, 457Gummel-Plot, 277Gummel-Poon-Modell, 290, 294, 295, 377Gunndiode, 200, 201, 203, 206, 207Gunn-Effekt, 200, 201, 206Gunn-Element, 201, 203–205, 210Gunnoszillator, 206Güte, 182, 184–188, 680
HHaftfehler, 649Haftstellen, 25, 593, 594Halbbrücken, 425Halbleiter, V, 1, 5–7, 17, 18, 20–22, 24–27,
29–39, 42, 44, 52, 54, 66–68, 73–75,109, 111, 112, 124, 132, 137, 144, 147,163, 190, 194, 200, 201, 327, 329, 337,340, 357, 359, 363, 402, 405, 422, 428,471, 520, 586, 588, 593
~block, 42direkte und indirekte, 22~drucksensoren, 339eigenleitend, 20Element~, 5, 13, 26, 33entartete, 34I-III-VI-~, 6III-V-~, 6, 33, 200III-VI-~, 6II-VI-~, 6, 200intrinsischer, 27~Laser, 6, 36, 156Leitfähigkeit, spezifische, 31-material, 1, 5, 35, 36, 38, 68, 78, 115, 132,
135, 139, 176, 225n-leitend, 20
-Oberfläche, 17, 74, 137organische, 6p-leitend, 20~scheibe, 109, 111, 320, 439~tablette, 116~träger, 77, 220, 337Verbindungs~, 6, 13, 25, 26
Halbleiterspeicher, 531, 575, 577Halbwertsbreite, 135, 160, 678, 684Haltespannung, 124, 125, 127, 426, 432, 447,
682Haltestrom, 124, 127, 128, 426, 432, 434, 435,
443, 445, 447, 450, 569, 679Häufigkeit, absolute, 262, 680Häufigkeit, relative, 262, 263, 678HD-Struktur, 137HE-Degradation, 595Helligkeitsmessung, 169HEMT, 330, 401–403Heterojunction, 327Heterojunction-Bipolartransistor, 327Heterokontakt, 402Heterostruktur, 138, 327, 402Heteroübergang, 327, 328, 402HEXFET, 396HF-Schalter, gleichspannungsgesteuerter, 192Hidden-Refresh, 623High Electron Mobility Transistor, 330, 401high side switches, 398Highside-Schalter, 399High-Speed-CMOS, 527, 557High-Speed-TTL, 552Hilfsbatterie, 585Hilfsenergiequelle, 1, 217Hochfrequenzanwendungen, 114, 336, 403Hochfrequenzschwingungen, parasitäre, 377Hochinjektion, 294Höchstfrequenzelektronik, 401Höckerspannung, 459Höckerstrom, 198, 679Hohlraumresonator, 204, 210, 212Hold-Time, 537, 585HOMO, 147, 148Homo-Dioden-Struktur, 137HOMO-LUMO-Abstand, 148HOMO-LUMO-Lücke, 148Homostruktur, 137Hot Spots, 257Hot-Carrier-Diode, 119
Stichwortverzeichnis 701
h-Parameter, 280, 302–310, 314h-Parameter, aus Kennlinien, 304h-Parameter, Umrechnung, 306, 307Hubdiode, 541Hybrid
~darstellung, 301-�-Modell, 317~parameter, 301, 303~schaltung, 520~technik, 520
Hyper Page Mode DRAM, 624Hystereseschleife, 606, 608, 609
II2L, 539Idealitätsfaktor, 87IGBT, 405–418IGBT-Konzepte, 407IGCT, 457IG-Laser, 157IMPATT-Diode, 206, 207, 210, 212Impuls, 23–25, 102, 121, 132, 193, 194, 284,
446, 448, 680~änderung, 25~belastbarkeit, 120, 121~raum, 22, 24~unschärfe, 194~verbreiterung, 161
impulse noise, 271index-guiding, 157Indiumantimonid (InSb), 6Indiumgalliumnitrid (InGaN), 133Indiumphosphid (InP), 6, 201Indiumsulfid (InS), 6Induktivitäten, 2, 214, 269, 440, 516, 523, 526Influenzladung, 359Influenzwirkung, 368Infrarot-Bereich, 133Injektion, hohe, 410Injektionsstrom, 545Injektionstransistoren, 545input bias current, 481input noise current density, 505input noise voltage, 505input noise voltage density, 505input offset current, 483input offset voltage, 484Instabilität, thermische, 414
integral diode, 394integrated circuit, 109, 320Integrated Gate-Commutated Thyristor, 457Integration, hybride, 520Integration, monolithische, 519, 524Integrationsgrad, 526, 555, 560Integrierte Injektions-Logik, 539, 545Intensitätsmaximum, 135Intensitätsmodulation, 141Interdigitalstruktur, 296, 327Interdigitaltransistor, 327Interface-Schaltungen, 536Interleave-Mode, 624interstitiell, 32Intrabandimpulsrelaxationszeit, 202intrinsic stand-off ratio, 459Intrinsic-Leitung, 26Intrinsic-Zone, 172, 173intrinsisch, 190, 402Inversbetrieb, 222, 224, 290–293, 320, 361,
547, 548Inversdiode, 394, 406, 414Inversion, schwache, 363Inversion, starke, 364Inversions
~dichte, 27~kanal, 363, 364, 371~schicht, 357, 359, 362, 364, 365, 593~zone, 371
Inversleitfähigkeit, 414Inverter, 390, 497, 537, 545, 561, 562,
564–566, 572Iod, 6Ionen, ortsfeste, 53Ionenimplantation, 32, 110, 112, 320, 360, 394,
398, 555Ionenkonzentration, 403Ionenstromdichte, 113Ionisationsrate, 207, 208, 683Ionisierung, 36ISFET, 403, 404Isolationsstrom, 352Isolator, 5, 20–22, 36, 42, 194, 340, 357, 362,
363, 593, 594, 604, 605Isolierschicht-FET, 340
JJEDEC-Files, 659
702 Stichwortverzeichnis
Johnson noise, 269junction, 42, 104, 105, 108Junction-FET, 340, 345
KKanal, 337, 338, 340–343, 345–350, 352,
355–357, 359–372, 376, 378, 379,385–388, 390, 391, 393, 394, 396, 398,400–403, 406, 407, 410, 411, 413, 418,428, 439, 453, 454, 510, 514, 527, 539,561–564, 567, 568, 570–572, 586,591–593, 595–598, 602, 611, 625
~abschnürung, 365~dicke, 351~dotierung, 351, 402~länge, 351, 368, 369, 384, 394, 396, 402,
679~längen-Modulation, 371, 372, 683-Leitwert, 369~querschnitt, 347, 363, 365, 366~querschnitt, ungleichmäßiger, 365, 367~verdrängung, 366~widerstand, 338, 347, 366, 376, 377, 389,
419Kantendefekte, 111Kantenstrahler, 136, 138, 139, 156, 159Kapazitäten, 2, 184, 281, 288, 290, 295, 317,
320, 378, 379, 390, 417, 487, 490, 500,519, 526, 537, 555, 563, 564, 566, 570,571
Kapazitätsdiode, 56, 80, 183, 184, 186–188,556
Kapazitätskoeffizient, 56, 680Kaskodeschaltung, 399, 400Kathode, 77, 79, 117, 118, 126, 127, 131, 132,
136, 146–148, 201, 203, 421, 423,425–428, 434, 435, 445, 449, 450, 453,455–457
Kenngröße, statische, 224Kennlinie, 1–3, 55, 77, 79–82, 87, 90, 114,
124–129, 140, 141, 153, 159, 161, 164,168–170, 179, 180, 182, 196, 197, 203,205, 207, 224–226, 232, 234, 237, 238,240, 241, 244, 246–249, 251, 252, 289,296, 299, 304, 351, 352, 355, 356, 361,368, 372, 373, 378, 412, 414, 422, 426,432, 433, 435, 446, 447, 451, 459, 461,477, 485, 509, 514, 532, 562
Kennlinie eines Bauelementes, 90Kennlinie, statische, 141, 224Kennlinienfelder, 234, 368Kennwerte, 108, 128, 135, 139, 142, 171, 181,
238, 260, 265, 266, 434, 436, 507, 508,527, 532, 536, 538, 551, 555, 557, 658,659, 663
Keramiksubstrat, 521, 523Kippspannung, 124, 127, 128, 432, 433, 437,
438, 447, 448, 682Kippspannungsdifferenz, 128Klammerdiode, 120Kleinsignal
~ausgangswiderstand, 244, 297, 370, 371,681
~ausgangswiderstand, differenzieller, 380,381
~aussteuerung, 92, 93, 224, 302, 501~betrieb, 252, 289, 297, 300, 383~eingangswiderstand, 237, 297~ersatzschaltbild, 191, 197, 298–300, 379~gleichungen, 297, 298, 301, 380~größe, 225, 488, 501, 502-Kurzschluss, 386~modell, dynamisches, 288, 381, 382~modell, statisches, 93, 295, 296, 379~parameter, 289, 297, 298~stromverstärkung, 224, 245, 274, 275, 278,
280, 297~verhalten, 90, 295, 335, 379, 381, 637~verstärker, 238-Vorwärtssteilheit, 351
Klemmspannung, 121, 682Klirrfaktor, 232, 300, 381, 679Knickfrequenz, 488, 490, 495Kniespannung, 131, 241, 353, 365, 371, 682Kohlenstoff, 5Kohlenwasserstoff, polyzyklischer
aromatischer, 6Kollektor, 220–226, 228–230, 232–234,
238–245, 247, 250–253, 257, 272, 278,280, 281, 285–288, 291, 293, 297–299,304, 317–321, 323, 324, 328, 331,336–338, 353, 394, 406, 409–411,413–415, 418, 423, 429, 430, 509, 510,522, 545, 548, 550, 553, 678–680, 682
~bahnwiderstand, 296~diode, 221–224, 228, 281, 291, 292~restspannung, 241
Stichwortverzeichnis 703
~reststrom, 243, 277~schaltung, 229, 230, 280, 306, 307, 345,
684~sperrschichtkapazität, 285, 286, 677~strom, 223, 228–230, 232, 233, 236–239,
241–243, 245, 246, 251, 257, 273,274, 277–280, 282, 283, 285–287,293, 304, 328, 332–335, 338, 410,413–415, 423, 430, 454, 510, 514,545, 554, 678
~stromschweif, 418Kollektor-Basis
-Durchbruchspannung, 250, 682-Grenzschicht, 240-Reststrom, 226, 243, 678-Spannung, 228, 250
Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung, 243, 251, 682-Reststrom, 243, 244, 413, 678, 679-Sättigungsspannung, 223, 241, 293, 336,
414, 682-Spannung, 234, 238, 239, 241, 245, 247,
251, 252, 293, 297, 298, 304, 338,353, 413–415, 418
-Verlustleistung, 252Kommutierung, 439Kommutierungsdiode, 386Kommutierungsspannung, 415, 417Komparator, 472, 476Kompensation, äußere, 495Kompensation, innere, 495Kompensationskapazität, 497Kompensationsstrom, 485Komplementärtechnik, 342Komplementär-Transistoren, 219Kondensatoren, 1, 217, 269, 471, 516, 526,
607, 620Konfiguration, 604, 643, 670, 671, 675, 676Konstantstromquelle, 130, 140, 182, 250, 510,
512, 543Kontakt, Ohm’scher, 75, 116Kontaktierung, 110, 113, 174, 296, 357, 396,
457, 523, 644Koppelstufe, 508, 514–516Kopplung, 14, 305, 463, 591Korrekturfaktor, 87, 680Korrekturkapazität, 496, 498
Kristall, 5, 15, 16, 26, 27, 33, 114, 134, 136,137, 156, 159, 170, 176, 202, 320, 360,546
~defekte, 25~gitter, 6, 11, 13, 15, 17, 22, 28, 32, 33,
128, 132, 142, 176, 202, 320~struktur, 13, 15, 65, 175, 606, 607, 610~temperatur, 27, 681
Kühlkörper, 117, 253–255, 322, 425, 500Kühlung, 66, 117, 162, 253, 425, 564Kunststoff, 6, 117, 146Kupferindiumdiselenid (CuInSe2), 6Kupferindiumgalliumsulfid (CuInGaS2), 6Kupferplumbid (CuPb), 133Kurzkanaleffekte, 378Kurzschluss
~betrieb, 168, 169~festigkeit, 419, 516~sicherung, 504~strom, 169, 171, 177, 181, 182, 412, 536,
679~stromverstärkung, 280
LLadungspumpe, 399Ladungsspeicherungsdiode, 213Ladungssteuerungstheorie, 294Ladungsträger, 17, 20, 24, 26, 28, 30, 31,
33–37, 39–43, 52, 53, 59–62, 64, 67, 68,70, 95, 116, 141, 142, 147, 148, 165,167, 171, 176, 184, 190, 191, 202, 207,211–213, 215, 216, 218, 220, 225, 226,228, 234, 241, 258, 269, 270, 281,285–287, 320, 335, 337–340, 346, 353,355, 357, 358, 361, 364, 365, 369, 375,384, 402, 417, 431, 435, 440, 446, 451,455, 457–459, 548, 554, 599, 601, 603,684
~dichte, 37, 38, 42, 43, 59, 63, 131, 156,402
~dichte, intrinsische, 27, 38~injektion, 409~inversion, 363, 364~lebensdauer, 30~zahl, 37, 409
Lambertstrahler, 139Langzeitdrift, 485, 486Large Scale Integration, 526
704 Stichwortverzeichnis
large signal frequency response, 502Laser
~bedingung, 152, 156~diode, 149, 152, 159–163~licht, 152, 158~methode, 157~schwelle, 153~strahlung, 156, 159
Last~faktoren, 535~gerade, 249, 250, 257, 561~kapazität, 390, 391, 538, 549~minderungskurve, 253, 254, 387~strom, nichtlückender, 415~widerstand, 169, 180, 232, 249, 315, 316,
380, 474, 561, 562, 565, 611, 681~zeitkonstante, 415
latch-up, 410–412, 419Latch-up-Effekt, 569, 570Lateraltransistor, 324Laufzeitdiode, 210, 211Laufzeitmodus, 203Lawinendurchbruch, 61–63, 66, 121, 207, 209,
257Lawineneffekt, 62, 64–66, 130, 173, 207, 210,
212, 252Lawinen-Fotodiode, 172, 173Lawinenlaufzeitdiode, 207Lawinenmultiplikation, 207, 208Lawinenzone, 208, 209LCD, 149LDMOS-FET, 397LDMOS-Struktur, 398leakage current, 121, 122Lebensdauer, 30, 116, 141, 144–146, 148, 190,
191, 213, 214, 445, 590, 595, 596, 676,684
Leckstrom, 362, 375, 387, 445, 565LED, 131, 132, 134–136, 139–141, 144, 147,
152, 156, 159–162flächenemittierende, 137SMD-~, 134weiße, 134
Leerlaufspannungsverstärkung, 469, 473, 474,476, 486, 490, 495, 507–509, 683
Legierungstechnik, 109, 110, 319Leistungs
~anpassung, 169, 180, 181, 244~anschlüsse, 425
~bandbreite, 502~dichte, spektrale, 267, 268~dichtespektrum, 267, 268, 504~dioden, 69, 72, 80, 82, 84, 110, 113, 116,
117~endstufe, 509~gleichrichter, 120~module, 414, 418-MOSFET, 343, 373, 385, 389, 392, 393,
395, 406, 409, 410~schalter, 397, 399
Leitband, 15, 28Leitfähigkeit, 7, 8, 21, 27, 31, 32, 34, 36, 111,
190, 215, 221, 327, 338, 340, 347, 355,362, 372, 399, 402, 414, 415, 454, 458,590, 596, 604, 609, 684
Leitfähigkeitsmodulation, 458, 459Leitung, extrinsische, 32Leitungsband, 6, 15–22, 24–28, 34, 36, 64, 65,
132, 142, 147, 165, 196, 197, 201, 202,604, 678, 680
Leitungsbandkante, 17, 18, 21, 34, 51, 678Leitungselektronen, 16, 24, 176, 197Leitwertmodulation, 416Leitwertparameter, 309Leseverstärker, 587, 608, 611, 617–621, 662Lesevorgang, 577, 584, 602, 605, 608, 612,
615, 620Lese-Zykluszeit, 584, 681Leuchtdiode, organische, 144, 145Leuchtdiode, Standard-~, 136Leuchtdioden, 25, 36, 133, 134, 139–141, 145,
550Licht
~empfindlichkeit, 165, 171~farbe, 132, 134~farben, 133~intensität, 165, 173kaltes, 139~leistung, emittierte, 162~leitfaser, 156monochromes, 139~quant, 22, 131, 178ultraviolettes, 589, 592~verstärkung, 156
Light-Triggered Thyristor, 455limited space charge accumulation mode, 204linearer Mittelwert, 265Linearität, 1–3, 189, 373, 374
Stichwortverzeichnis 705
Linearitätsrelation, 2Linienbreite, 135, 156, 160, 684Linse, 133, 139, 160liquid crystal display, 149Loch, 20, 22, 24, 26, 33, 34, 60, 131, 142, 147,
148, 164–167, 173, 176, 207, 363Löcher
~anteil, 223, 227, 239~dichte, 27, 35, 359, 680~leitung, 33~sperrstrom, 227~strom, 59, 224, 226, 328, 412
Logik, langsame störsichere, 542Logik, positive, 541, 543Logik, ungesättigte, 288, 543Logikblock, 671, 672Logikschaltungen, 119, 344, 401, 545, 546,
564, 629Lookup Tables, 672, 674Löschen, 124, 421, 435, 589, 592–594,
596–600, 602, 676Low-Power-Schottky-Technologie, 552Low-Power-Schottky-TTL, 553, 554, 556Low-Power-TTL, 552Low-Voltage-TTL, 557LSA-Betrieb, 204–206LSI-Schaltungen, 526LSL, 542LSL-Technik, 542LSTTL, 553LTT, 455, 456Luftmasse, 178Lumineszenz, 77, 132LUMO, 147LVS, 644
MMagnetdiode, 215, 216Magnetic Random Access Memory, 603Magnetic Tunnel Junction, 604Magnetowiderstandseffekt, 603Magnetwiderstand, 603Majoritätsträger, 33, 40, 42, 52, 58, 67, 199,
340, 359, 363, 410Makropotenzial, 16, 17, 684Makrozellen, 631, 653, 656, 663, 666, 667, 669Maskenfenster, 113Masken-ROM, 586–589
Masse, effektive, 20, 202, 680Massenwirkungsgesetz, 27Masserückleitpfade, 549Master Mode, 675Materialien, amorphe, 13Materialkonstante, 17, 339Materiewelle, 194Maximum Power Point, 179–181MCM, 520, 525MCT, 452–455MCT-Zelle, 453Medium Scale Integration, 526Mehrschichtdioden, Kennwerte, 128Mehrsegmentanzeigen, 144Memory Address Register, 579Memory Data Register, 579Merkregel, 26, 136, 230Mesatransistor, 319, 320MESFET, 400, 403Mesh-Zahl, 521Metal Organic Chemical Vapor Deposition, 401Metallatom, 21Metall-Halbleiter-Feldeffekttransistor, 400Metall-Halbleiterkontakt, 19Metall-Halbleiter-Übergang, 56, 114, 119, 401Metallisierung, 111, 648Mikropress-Schweißverfahren, 522Mikrowellen-Technik, 36Mikrowellentransistoren, 401Miller-Effekt, 281, 318, 382, 383, 390, 399, 496Minoritätsträger, 33, 40, 53–55, 60, 67, 68, 70,
359, 364Minoritätsträger-Lebensdauer, 55Mischfarbe, 133Mischkristall, 329MISFET, 340MIS-Struktur, 357Mitkopplung, 2, 376, 451, 454, 473, 476, 486,
491, 493Mittelwert
arithmetischer, 265, 266, 683linearer zeitlicher, 266quadratischer, 265, 267
Mixed-Signal-Anwendungen, 573MNOS-Speicherzelle, 593, 594MOCVD-Prozess, 401Mode, longitudinale, 158Moden, 156MODFET, 401
706 Stichwortverzeichnis
Modulation Doped Field Effect Transistor, 401Modulations
~bandbreite, 161, 680~frequenz, 141, 161, 162, 678~kennlinie, 141
Molekülbildung, 14Molybdän, 113, 116, 424, 425Moment 1. Ordnung, 266Moment 2. Ordnung, 267Momente, 264, 605monochromatisch, 160MOS-Arbeitsplätze, 343MOS-Controlled Thyristor, 452MOSFET, 340–342, 352, 359–362, 366, 368,
369, 372, 373, 375–378, 385, 386, 388,391–394, 397–399, 401, 405, 406, 410,411, 413–417, 452, 453, 509, 514, 527,561–563, 593, 617
MOSFET, n-Kanal, selbstsperrend, 340MOSFET, selbstleitend, 340, 387, 399MOS-ICs, 343, 561MOS-Kondensator, 357–359MOS-Struktur, 357, 406MPP-Tracker, 181MRAM, 603–605MRAM-Zelle, 604MROM, 586MSI-Schaltungen, 526Multi Chip Module, 520, 525Multi-Bit-Zellen, 602Multi-Emitter-Transistor, 546–548, 553Multi-Level-Zelle, 602Multiplexer, 529, 649, 657, 672, 674Multiplikationszone, 172, 173Musterfunktion, 260, 265, 266
NNAND-Flash, 596, 598–600, 602NAND-Gatter, 541, 547, 550–552, 555, 557,
567, 573, 598Netzgleichrichter, 102Netzliste, 630n-Halbleiter, 33, 36, 74, 75, 113, 197Nichtidealitätsfaktor, 87, 680Nichtlinearitäten, 189, 289, 513n-Kanal-IGBT, 406NMOS, 343, 389, 527, 539, 540, 561–564, 568,
590, 641
NMOS-Technologie, 540, 561, 562Noise Figure, 273Non-Punch-Through-Struktur, 406, 408non-volatile RAM, 615NOR-Flash, 596, 597, 599, 602Normalbetrieb, 78, 131, 222, 223, 232, 240,
250, 276, 277, 290–295, 410, 517, 547,596
Normalform, disjunktive, 631, 651normally-off Typen, 341normally-on Typen, 341npn-Transistor, 225, 230, 235, 236, 239, 240,
249, 251, 285, 290, 291, 293–295, 321,323–326, 331, 343, 360, 410, 429, 430,451, 453, 454, 510, 512, 513, 548
NPT-IGBT, 407–409, 414NPT-Struktur, 406, 407, 411NROM-Zelle, 602Null-Kapazität, 50, 677Nullkippspannung, 426, 428, 432–434, 437,
447, 682Nur-Lese-Speicher, 581, 585NVRAM, 615Nyquist noise, 269
OOberflächen-Durchbrüche, 425Oberflächenemitterdioden, 160Oberflächenrekombination, 142Offset
~abgleich, 485~kompensation, 483~spannung, 468, 470, 471, 473, 483–486,
507–509~spannungsdrift, 473~spannungskompensation, 465~strom, 482, 483, 509
OLED, 144–149OLMCs, 656, 663Omnifet, 398One Time Programmable ROM, 588on-state resistance, 376open loop gain, 474Open-Collector-Ausgang, 550, 615Open-Collector-Stufen, 536Operational Transconductance Amplifier, 469Operationsverstärker, 463–469, 471, 474,
476–478, 480–483, 485, 487–491, 493,
Stichwortverzeichnis 707
495, 496, 498, 500, 504, 505, 507, 508,517, 525, 529, 573, 643
Operationsverstärker, idealer, 478, 507Operationsverstärker, Typen, 468Operationsverstärker, zerhackerstabilisierte,
486Optokoppler, 144OPV, Nutzungsgrenze, 488Organisation, 575, 577, 578, 583, 584, 597, 613OTA, 469OTP-ROM, 588OUM, 609, 610Output Disable, 550Output Enable, 550, 582, 662Output Logic Macrocells, 656, 663output resistance, 480Output Swing, 502, 503overload recovery, 504Ovonic Unified Memory, 609Oxidation, 110, 147, 360, 519, 521, 595, 648Oxidschicht, 340, 357, 360, 364, 456, 590, 599,
600, 602, 630
PPaarbildung, 26, 54, 67, 166Pads, 519, 522Page-Mode, 623, 624PAL, 652–663Parameterstreuung, 640partition noise, 272Passivmatrix-Displays, 148Pauli-Prinzip, 14peak current, 252, 386peak pulse power dissipation, 121peak surge forward current, 102peak surge reverse voltage, 102Pegelanpassstufen, 536Pegelanpassung, 509, 536, 550, 582Pegelbereiche, 532–534Pegelverschiebungsdiode, 541, 548–550, 552,
553Pentacen, 6Periodensystem, 5, 6Peripherie-Modus, 675Perowskitstruktur, 607Personalisierung, 631, 674p-Halbleiter, 33, 34, 36, 75, 197phase margin, 494
Phase-Change RAM, 609Phasen
~anschnittsteuerung, 442–445, 448~bedingung, 492, 493~drehung, 490, 491, 493, 495~rand, 494~reserve, 494, 495, 499, 502~spielraum, 494~splitter, 548, 554~splittertransistor, 554~verlauf, 490~verschiebung, 207, 209, 224, 336, 444,
489, 491, 493, 495, 496, 507~wechselspeicher, 609
Phonon, 22Phononen, 22, 25, 26, 202Phononenenergie, 25Phononenerzeugung, 132Photon, 22, 24, 142, 147, 193Photonenemission, 153Photonenreflexion, 155pinch-off voltage, 341Pinch-off-Spannung, 347, 351, 353pin-Diode, 63, 69, 115, 116, 189–192, 208, 414PLA, 531, 652, 654–658Placement, 641, 642Planar-Gate, 418Planartechnik, 109, 110, 113, 133, 324, 350,
407, 424Planartransistor, 320, 324Planck’sches Wirkungsquantum, 28Plasma, 211Platin, 17PLD, 531, 576, 631, 632, 652, 670PLED, 146PMOS, 527, 539, 561, 563, 616, 641PMOS-Technologie, 561, 616pn-Diode, 77, 78, 81, 82, 115, 116, 118, 120,
184, 187, 189, 190, 220, 270, 290, 409pnp-Transistoren, 219, 225, 240, 324, 330, 331,
343, 527, 557pn-Übergang, 19, 39, 43, 44, 50, 52–63, 66–69,
71–73, 77, 80, 82, 88, 95, 96, 109–111,113–115, 118, 124, 132, 136–138, 152,156, 157, 165, 170–172, 174, 182, 184,198, 201, 207, 213, 225, 230, 270, 290,320, 324, 325, 327, 339, 347, 350–352,361, 385, 394, 401, 407, 414, 426–429,437, 446, 451, 456, 458, 459, 588
708 Stichwortverzeichnis
abrupter, 40, 57einseitig abrupter, 57spannungsloser, 51, 56, 59, 677
Pole-Splitting-Verfahren, 496Polverschiebungen, 497Polyacetylen, 6Polymer, 6, 148Polymere, konjugierte, 145Polysilizium, 360, 396, 590, 602Popcorn noise, 271Popcornrauschen, 259, 271Potenzialanpassung, 508Potenzialbarriere, 38, 47, 53, 193, 211, 456,
591, 596power derating curve, 255, 387power supply rejection rate, 473PRAM, 609Präzisionsmessverstärker, 486Precharge-Phase, 571PROFET, 399, 400Programmable Array Logic, 631, 652, 655Programmable Gate Array, 631Programmable Interconnect Point, 674Programmable Logic Array, 531, 631, 652, 654Programmable Logic Device, 531, 576, 631,
652Programmierbare Logik, 531, 631, 634, 652,
658Programmiergerät, 585, 587, 589, 652, 659,
674, 676Programmierimpuls, 587, 588Programmierung, 531, 585, 588, 589, 591–594,
597, 599, 600, 605, 609, 631, 632, 652,653, 656, 659, 666, 669, 674, 676
Programmiervorgang, 589, 593, 674Programmspeicher, 585, 587, 597, 598PROM, 587, 588, 598, 631, 654PROMs, bipolare, 587PROMs, MOS-~, 588propagation delay time, 536Properties, 638, 642Proportionalitätsprinzip, 2Protonen, 193Prozess
stationärer, 259, 266stationärer ergodischer, 266stationärer stochastischer, 266stochastischer ergodischer, 266
Prozesskonstante, 369
Prozessparameter, 640, 641Prüfpfadtechnik, 649psn-Dioden, 115PT-IGBT, 406–409, 414Ptot, 253, 387, 388PT-Struktur, 406Pufferkondensator, 549PUJT, 461Puls
~betrieb, 210, 255, 256, 258, 680~dauer, 190, 252, 256, 386~energie, maximale, 102~frequenz, 102~spitzenleistung, 121, 680~wiederholrate, 252
Pumpenergie, elektrische, 157Pumpstrom, 153punch-through, 61, 67, 68, 240, 407Punch-Through-Struktur, 406Punktmatrixdarstellungen, 144p-Wanne, 406, 410, 411, 418, 568, 593
Qqcw-Betrieb, 162Quanten, 147, 193
~effizienz, 148~hypothese, 22~mechanik, 193~theorie, 13, 14, 193~wirkungsgrad, 166, 167
Quantisierungsrauschen, 259Quarzglasfenster, 592Quarzsand, 5Quarzschicht, 132Quellen, gesteuerte, 2, 217Quellenwiderstand, optimaler, 275, 276quenched-domain mode, 205Querstrom, 500, 566, 569quiescent current, 500
RRadikal-Anion, 148Radikal-Kation, 148Rail-to-Rail-Operationsverstärker, 467Rail-to-Rail-OPVs, 467, 475Rakel, 521Rakeldruck, 521
Stichwortverzeichnis 709
Rakelgeschwindigkeit, 521RAM, dynamisches, 616RAM-Port, 625Random Access Memory, 610random telegraph signals (RTS noise), 271RAS-CAS-Verzögerung, 618, 622RAS-only-Refresh, 622RAS-Vorladezeit, 620–622, 624RAS-Zugriffszeit, 622Raumladungen, 42, 44, 184Raumladungsdomäne, 203, 205Raumladungszone, 39, 43, 48, 49, 53–55, 62,
63, 66–68, 83, 95, 116, 127, 132, 164,170, 172, 174, 184, 186, 191, 205, 207,281, 328, 348, 357–359, 363, 364, 367,392, 401, 407, 408, 410, 427, 456, 457,680
Rausch~leistung, 259, 269, 272, 559~leistungsdichte, 269~maß, 273, 680~quellen, 259, 268, 269, 504–506~quellen, überlagerte, 268~signal, 258, 267~spannung, 258, 260, 269, 270, 504, 505,
507~spannung, effektive, 269, 683~spannungsdichte, 504–506~strom, 172, 258, 269–272, 504~stromdichte, 272, 504, 505~temperatur, 507
Rauschen, 114, 206, 210, 212, 258, 259, 266,268–271, 273, 296, 402, 486, 499, 504,517, 559
Avalanche-~, 272Gate-~, 391Gauß verteiltes, 269Generations-Rekombinations-~, 272Kanal-~, 391rosa, 271thermisches, 259, 269weißes, 268, 273, 274
Rauschzahl, 272–274, 392, 403, 507, 678, 680frequenzabhängige, 275ideale, 391Minimierung, 274optimale, 275, 276spektrale, 273
RCT, 449
RDRAM, 625Reabsorption, 137Read Cycle Time, 584Read Enable, 582Read Only Memory, 585Readback, 675Read-Diode, 207Redoxpotenzial, 148Reduktion, 147, 476, 484, 596, 600, 647Referenzgehäusetemperatur, 253, 681Referenzumgebungstemperatur, 253, 681Reflexion, 157, 158, 170, 178, 609Reflexionskoeffizient, 155Reflexionsverluste, 177Reflow-Lötung, 523Refresh, 571, 622, 623Refresh-Arten, 622Register, 578–580, 625, 636, 639, 649, 650,
655, 659, 670, 673, 675Registertransferbeschreibung, 636Register-Transferebene, 636Regression, lineare, 89Regressionsfunktion, 88, 89Reihenschwingkreis, 97Rekombination, 22, 24–26, 30, 35, 41, 55, 60,
70, 131, 132, 142, 147, 148, 176, 177,216, 272, 286, 287, 327, 363, 364, 440
direkte, 24indirekte, 25, 26nicht strahlende, 132, 142
Rekombinationsstrom, 227, 278Rekombinationszentren, 25, 167, 175Rekombinationszone, 215, 216Rekonfigurierbarkeit, 674, 676repetitive peak forward current, 102, 104repetitive peak reverse voltage, 102, 104Resonanzfrequenz, 188, 189, 205, 678Resonator, optischer, 155Resonatorspiegel, 155Reststrom, 242, 243, 347, 430Restströme, Messung, 243retention, 589Reversdiode, 394reverse current, 83, 105reverse recovery time, 72, 96, 105, 213, 446reverse region, 224reverse voltage, 52, 83, 104, 107reverse-conducting thyristor, 449Reziprozitätsbedingung, 292
710 Stichwortverzeichnis
Richtwirkung, 139rise time, 105, 285ROM, maskenprogrammiert, 586Row Adress Strobe, 618RTL, 538–540, 639Rückflussdämpfungen, 313Rückkopplungsnetzwerk, 476, 493Rückstrom, 96, 327, 439, 440, 445Rückstromfallzeit, 97Rückstromspitze, 441Rückwärts
~betrieb, 224, 394, 414, 449~diode, 199, 200, 361, 386-Durchbruchspannung, 427~erholzeit, 72, 96, 105~sperrspannung, 414-Spitzensperrspannung, periodische, 441~steilheit, 298, 681~strom, 72, 83, 101, 679~stromverstärkung, 224, 290, 291, 677-Übertragungsfaktor, 312
Rückwirkungsfaktor, differenzieller, 247, 297Rückwirkungskapazität, 318, 382, 384Rückwirkungskennlinie, 247Rückwirkungs-Kennlinienfeld, 234Ruhestromkompensation, 482
Ssafe operating area, 257, 387, 393, 415Sägezahngenerator, 460Sägezahnspannung, 128, 460SAMOS, 590SAM-Port, 625Saphir, 215, 216Sättigung, 120, 222, 241, 293, 318, 344, 349,
353, 365, 367, 371, 475, 484, 486, 501,504, 513, 517, 541, 543, 551, 553
Sättigungs~bereich, 223, 233, 241, 288, 353, 368, 370,
371, 381, 414, 513~betrieb, 222, 223, 234-Driftgeschwindigkeit, 401~geschwindigkeit, 203, 209, 212, 384, 401,
683~spannung, 241, 293, 344, 414, 475, 565~wert, 68, 114, 288~zustand, 241
saturation region, 223
SBC-Technik, 324Schalenmodell, 13, 14Schalt
~dioden, 72, 97, 119, 213~frequenz, 284, 390, 415, 423, 450, 452,
538, 549~frequenz, maximale, 537~geschwindigkeit, 278, 324, 405, 409, 415,
445, 449, 461, 573, 629, 639, 640~kreise, integrierte, 3, 388, 463~kreisfamilie, 527, 532, 533, 535, 536, 538,
546, 666~netzteile, 120, 393~spannung, 96, 127, 446, 545~strom, 389, 405, 445~stufe, 388–391, 532, 537, 545, 565, 567~transistoren, 120, 241, 388, 543~verhalten, 69, 94, 284, 327, 334, 335, 389,
397, 415, 457, 536~verluste, 409, 419, 450, 457~vorgänge, 216, 225, 440, 562, 564~zeichen, 78, 79, 331, 405, 421, 450, 453,
455–458, 550~zeiten, 115, 171, 225, 285, 287, 288, 335,
343, 344, 390, 393, 398, 409, 457,520, 527, 536, 537, 542, 546, 548,552, 553, 555, 657
~zeiten, Verkürzung, 287, 288~zustände, 233, 421, 532
Schalten, hartes, 415, 457Schalter, elektronischer, 233, 421, 446Schalterbetrieb, 233, 289, 373, 388, 390Schaltung, integrierte, 109, 149, 320, 443, 464,
471, 519, 573, 627, 628, 630, 643, 646Schaltungen mit Bipolartransistoren,
rauscharme, 275Schaltungen, kombinatorische, 655Schaltungen, sequenzielle, 655Schaltungsfunktionen, 529Schaltungssynthese, 637, 639Scharmittel, 265Schichtschaltungen, 520Schieberegisterspeicher, 610Schleifenverstärkung, 487, 492–496Schleusenspannung, 82, 84, 85, 119, 131, 332,
456, 569, 683Schmelzpunkt, 109Schnittfrequenz, 493, 496Schonzeit, 440, 682
Stichwortverzeichnis 711
Schottky Diode FET Logic, 540Schottky-Diode, Anwendungsbereiche, 120Schottky-Diode, Eigenschaften, 120Schottky-Dioden, 77, 82, 83, 97, 102, 116, 119,
213, 546, 553, 554Schottky-Feldeffekttransistor, 400Schottky-Kontakt, 74, 75, 109, 116, 119, 401,
403Schottky-Logik-Schaltkreise, 120Schottky-TTL, 527, 553, 554, 556, 663Schottky-Übergang, 401Schräganschliff, 425Schreib-/Lese-Speicher, 577, 578, 581, 610Schreib-/Löschzyklen, 599, 600Schreibbefehl, 581, 584, 593Schreibimpuls, Dauer, 584Schreibvorgang, 577, 584, 602, 605, 606, 608,
609, 611, 612, 614, 615, 621Schreibzyklus, 585, 596, 621Schrotrauschen, 259, 270, 271Schrotrauschspannung, 271Schutzdioden, integrierte, 569Schutzfunktionen, 399Schutzgasatmosphäre, 425Schutzschaltungen, 343, 398, 568, 673Schutzschicht, 521Schweifstromverlauf, 418Schwellenspannung, 341, 359, 361, 369, 372,
375, 390, 410, 413, 416, 533, 563, 564Schwellwertschalter, 460Schwellwertspannung, 362–364Schwingbedingung, 491, 493Schwingfrequenz, maximale, 283, 327, 329,
330, 384, 678Schwingkreis, 184, 187, 188, 199, 205, 212Schwingneigung, 198, 470, 495, 516, 517Schwingung
gedämpfte, 97, 493selbsterregte, 492, 493stationäre, 493
Schwingungserzeugung, 199, 203, 476SDFL, 540SDHT, 401SDRAM, 625Sea of Gates, 630, 672secondary breakdown, 252Selectively Doped Heterojunction Field Effect
Transistor, 401Semi-Custom-Entwurf, 629
Settling Time, 502, 503Set-up-Time, 537SHE-Prozess, 591Shockley-Formel, 86, 101, 164shot noise, 270SH-Struktur, 138, 139Sicherheitsabstand, 533Siebdruckverfahren, 520Siebensegmentanzeigen, 143Signal, determiniertes, 258Signal, stochastisches, 258Signaldioden, 79Signallaufzeit, mittlere, 536Signal-Rauschabstand, 273Signalübergangszeiten, 536Signalübertragung, differenzielle, 544Signalverzögerungszeit, 536Silan, 111, 176Silberleitkleber, 522silicon-controlled rectifier, 421Silizium, 5, 7, 10, 12–14, 21, 26, 29, 31, 32, 35,
36, 40, 47, 48, 55, 57, 61, 68, 73, 77, 78,81, 82, 98, 100, 102, 103, 107, 109–111,119, 120, 128, 132, 133, 146, 149, 164,167, 169, 174–176, 178, 184, 213, 215,219, 226, 253, 255, 277, 325, 336, 343,345, 357, 360, 369, 387, 403, 410, 424,524, 539, 562, 587
Siliziumdiode, diffundierte, 111Siliziumnitrid, 593Siliziumpulver, 5Simulation, 294, 378, 633, 637, 639–641, 649Singleheterostruktur, 138Single-Mode-Laser, dynamische, 157Single-Supply-Operationsverstärker, 467SIPMOS-FETs, 397SITh, 456Slave-Mode, 675SLDRAM, 625Slew Rate, 500–502, 508Small Scale Integration, 526small signal current gain, 280Smart Power Devices, 398SMD, 117, 124, 134, 136, 322, 323, 466, 516,
520, 524, 527, 530SMD-Bauteile, 516, 520SMD-Gehäuse, 466, 516, 530SMD-Transistoren, 323SMOLED, 146
712 Stichwortverzeichnis
snap-off diode, 213Solarpanel, 177, 180Solarzelle, 20, 169, 173–177, 179–183, 680
amorphe, 175, 182monokristalline, 175polykristalline, 175
Sonnenlicht, 144, 174, 178Source, 130, 337, 338, 340, 344–346, 348, 349,
351, 359–369, 373, 379–388, 391–393,396, 399, 415, 417, 418, 561, 565, 570,586, 590–594, 597, 602, 608, 682
Sourceschaltung, 344, 345, 379, 381, 382, 510Spaltenleitung, 578, 590, 591, 613Spannungs
~anstiegsgeschwindigkeit, kritische, 437~anstiegsrate, 500, 501, 681~komparator, 476~nachlaufzeit, 96, 439~quelle, spannungsgesteuerte, 304, 480~rauschen, 504–506~rückwirkung, 234, 304, 305~spitzen, 120, 122, 214, 399, 547~stabilisierung, 129~steilheit, 128, 446~steilheit, kritische, 428, 435~steuerkennlinie, 245, 246, 332, 344, 352,
379~steuerung, 238, 250, 338, 344, 389, 393,
468, 469~transienten, 121~verhältnis, inneres, 459~wellen, 311, 312
s-Parameter, 303, 311–313Spare Page, 600Speicher
bitorganisierter, 578~gate, 590~kapazität, 583, 599, 602, 613, 617~ladung, 344, 398, 415~organisation, 577~schaltdiode, 213, 214wortorganisierter, 578~zeit, 72, 96, 97, 285–288, 344, 391, 451,
543, 592, 595, 682~zeitkonstante, 287~zelle, 577, 581, 586, 587, 590–594, 602,
604, 608, 611–614, 618–621, 624,672, 674, 675
Spektralbereich, 133, 134, 139, 143
Spektraldichte, 268, 269Spektrallinien, 156Sperr
~bereich, 52, 55, 73, 77, 78, 80, 83, 84, 87,94, 101, 103, 114, 126, 128, 188,223, 233, 240, 241, 244, 368, 387,446, 542
~betrieb, 69, 71, 84, 85, 116, 190, 192, 213,222, 223, 233, 250, 410, 427, 439,446
~kennlinie, 125, 426, 433, 437~reststrom, 121, 679~richtung, 52, 53, 61, 67, 69, 73, 78, 80, 81,
88, 94, 96, 120, 125–129, 164, 172,184, 209, 211, 213, 222, 224, 226,228, 232, 233, 241, 242, 287, 318,324, 325, 339, 340, 346, 347, 361,386, 414, 426, 427, 430, 439, 682,683
~sättigungsstrom, 54, 55, 61, 73, 83, 96, 99,440, 679
Sperrschicht, 42, 43, 49, 53, 55, 59, 61, 64, 65,67, 68, 70, 96, 102, 105, 108, 114, 132,165, 170, 171, 187, 194–197, 224, 226,253, 254, 257, 281, 291, 298, 317, 337,339–342, 344–348, 350, 353, 355, 361,365–367, 371, 372, 385–387, 398, 400,401, 404, 410, 451, 500, 548, 588, 681
~berührungsspannung, 68~breite, 48, 683~fläche, 56, 57, 114, 115, 174, 242, 677~kapazität, 49, 56, 57, 60, 61, 72, 80, 94,
95, 114, 115, 142, 169, 171–173,184, 186–189, 192, 281, 318, 320,437, 553, 677
~ladung, 95~temperatur, 66, 104, 108, 234, 243, 253,
255, 681~weite, 48–50, 56, 65, 88, 115, 184, 339,
347, 683Sperrschicht-FET, 340–342, 344–347, 353,
361, 366, 372, 385–387Sperrspannung, 53, 54, 56, 61, 62, 64, 67–69,
80, 83, 86, 95–97, 102–104, 114–116,120, 121, 126, 130, 142, 162, 168, 169,171, 172, 184, 186, 188, 191, 214, 224,239, 243, 257, 285, 318, 347, 348, 350,352, 377, 392, 397, 405, 408, 409, 415,
Stichwortverzeichnis 713
421, 424, 426, 427, 439–441, 446, 449,450, 452, 455, 682
Sperrspannung, maximale, 101, 184, 377, 392,683
Sperrspannungsfestigkeit, 409, 554Sperrstrom, 54, 55, 61, 67, 68, 71, 81, 83, 88,
96, 98, 99, 102, 105, 108, 114, 119, 120,126–128, 164, 165, 173, 226, 228, 239,242, 243, 278, 352, 355, 362, 387, 427,432–434, 443, 445, 679
Sperrstrom, temperaturabhängiger, 98Sperrstromanteil, 223, 239Sperrverzögerungszeit, 72, 96, 97, 398, 440,
446, 682Sperrverzugszeit, 96, 213, 440, 682Spin, 605, 606spin coating, 145Spincoaten, 146Spitzendioden, 113–115Spitzenflussstrom, 102, 679Spitzenflussstrom, periodischer, 102, 679Spitzensperrspannung, 102, 104, 107, 434, 683Spitzensperrspannung, periodische, 97, 102,
433, 434, 683Spitzenstrom, maximaler, 386Spitzenströme, 252Spitzentransistor, 318Split-Gate-Zelle, 602SRAM-Speichermatrix, 613SRAM-Speicherzelle, 611SSI-Schaltungen, 526Stabilisierung, 80, 83, 120, 128, 129, 464Stabilitätsbedingung, 493, 495Stabilitätsprobleme, 311, 468Stabilitätsreserve, 494Stacks, 162Standard Burried Collector, 324Standardabweichung, 265–267, 684Standardschaltungen, 531Standard-TTL, 546, 551–554Standardzellen-Design, 629standby current, 121Stand-By Mode, 582stand-off voltage, 121, 122static forward current transfer ratio, 280Static-Induction Thyristor, 456Status-Signal, 399
Steilheit, 153, 246, 298, 309, 318, 344, 353,356, 369–371, 379, 381, 383, 393, 399,416, 417, 439, 470, 471, 502, 678, 681
Steilheitskoeffizient, 369, 679Steilheitsparameter, 369, 372, 375, 514, 679step-recovery-diode, 213Steuer
~elektrode, 228, 337, 338, 351, 384, 425,427, 445, 446
~gate, 590, 591, 597, 599, 602~kennlinie, 245, 352, 353, 355~spannung, 8, 246, 338, 340, 346, 360, 362,
373, 374, 388, 401, 410, 416, 417,427, 434, 436, 446, 591
~strom, 8, 218, 238, 242, 331, 338, 418,429, 432, 435, 436, 447, 448
~winkel, 443Stichprobenraum, 261, 264, 684Stichprobenumfang, 261, 684Stirnflächenreflexion, 157Stochastik, 260Störabstand, 533–535, 539, 551, 565, 570storage time, 285Störatome, 32, 33, 35Störleitung, 32Störniveaus, 25Störsicherheit, 520, 532, 533, 539, 555, 563,
669Störspannungsabstand, 534, 535, 544Störspannungsabstand, statischer, 533, 534Störspannungsspitzen, 549Störstellen
~erschöpfung, 36, 37ionisierte, 402-Leitfähigkeit, 34~leitung, 32, 34–36~reserve, 36, 37tiefe, 25
Stoßionisation, 62, 65, 173, 207Stoßspitzensperrspannung, 107, 116, 434Stoßstrom, 108, 121, 434, 679Stoßstromgrenzwert, 441, 442Strahlungserzeugung, 25, 132Strahlungsfluss, 135Strahlungsleistung, 135, 141, 153, 162, 178Strahlungsleistung, globale, 178Strahlungsleistung, spektrale, 178Strahlungsmessung, 191Streuparameter, 311
714 Stichwortverzeichnis
Streuprozesse, 402Streuung, 178, 229, 266, 267, 336, 402, 684Strom
~anstiegsgeschwindigkeit, 437, 445~anstiegsgeschwindigkeit, kritische, 437~anstiegssteilheit, 428~begrenzung, 129, 252, 398, 409, 448, 480,
518, 546, 598~impuls, 203, 211, 212, 390, 423, 587, 588,
605, 609~quellenbereich, 353~rauschen, 506~richter, 442~schweif, 415, 418~spiegel, 512, 514, 643-Steuerkennlinie, 245, 250, 305~steuerung, 238, 247, 250, 344, 470~tragfähigkeit, 377, 409, 453~übertragungsfaktor, 471~verstärker, 240, 471
Stromverstärkung, 218, 223–225, 229, 234,240, 245, 273, 274, 277–283, 290, 292,294, 298, 299, 303–305, 315, 316, 318,324, 328, 330–336, 344, 383, 410, 412,431, 483, 510, 573, 677, 684
Basisschaltung, 279Emitterschaltung, 280inverse, 224, 291, 677Umrechnung, 281
Stromverteilung, inhomogene, 252, 432Stromverteilungsrauschen, 259, 272, 274Strom-Zeit-Fläche, maximale, 102Struktur
Diamant-~, 13Kristall~, 13, 15, 65, 175, 606, 607, 610Wurtzit-~, 13Zinkblende-~, 13
Strukturdomäne, 636Substrat, 32, 77, 109, 111, 118, 119, 145, 146,
174, 220, 323, 325, 337, 342, 350,357–364, 385–387, 401, 405–407, 410,411, 519, 520, 523, 524, 591, 592, 594,597, 643, 647
Substratdotierung, 38Substrate Hot Electron Process, 591Substratsteuereffekt, 361, 362, 381Super-Beta-Schaltung, 331Superpositionsprinzip, 2supply voltage rejection ratio, 485
Surface Mounted Devices, 527surge current, 108, 121, 122switching diode, 119Symmetrieabweichung, 128Systemkonstanten, 585Systemtabellen, 585
TTabellenspeicher, 575, 585Tailstrom, 409, 415, 418Taktfrequenz, maximale, 658Talspannung, 459, 460Talstrom, 195, 197, 459, 679Technik, biomedizinische, 404TEGFET, 401Teilerverhältnis, 459Telegrafen-Rauschen, 271Temperatur, 7, 9, 18, 21, 26, 27, 29, 35–38, 55,
57, 63, 65, 66, 73, 98–103, 111, 113,128, 131, 145, 159, 162, 179, 180, 186,234, 235, 237, 242, 253, 254, 269, 270,274, 278, 319, 321, 344, 355, 356,375–377, 387, 414, 436, 437, 441, 483,485, 500, 510, 511, 517, 520, 522, 600,643, 651, 681, 684
~abhängigkeit, 29, 30, 36, 37, 55, 66,98–100, 124, 186, 237, 336, 344,355, 356, 375, 409, 436, 484, 511,526, 555
~bereiche, 37, 529~drift, 235, 336, 483, 485, 486, 509intrinsische, 38, 681~koeffizient, 66, 130, 356, 376, 409, 461,
510, 683~kompensationspunkt, 356, 376~messung, 124~spannung, 27, 31, 73, 86, 101, 164, 168,
274, 276, 318, 683~strahler, 139~verhalten, 66, 159, 375, 651
Tempern, 111TEMPFET, 399T-Ersatzschaltbild, 300Test Access Port, 650Testmuster, 645, 648, 649, 651Tetracen, 6Tetraeder, 13TFT-Displays, 405
Stichwortverzeichnis 715
TFT-Transistor, 405thermal noise, 269Thermischer Durchbruch, 61, 66Thermokompressionsbonden, 522, 523Thermosonic-Bonden, 522Thin Film Transistor, 149threshold voltage, 341, 359, 362Through Hole Technology, 527THT, 466, 527Thyratron, 421Thyristor, 399, 410, 411, 421–427, 429, 432,
435, 437–440, 442–446, 448–458, 461,569
asymmetrisch sperrender, 449~dioden, 125, 422-Ersatzschaltung, 411feldgesteuerter, 456lichtgesteuerter, 455MOS-gesteuerter, 452rückwärts leitender, 449~struktur, parasitäre, 412~tetroden, 422, 448, 449~trioden, 422
Thyristoren, abschaltbare, 450Thyristorstruktur, 569Time Dependent Dielectric Breakdown, 595TMR-Element, 605Top-Down-Design, 633, 634Topfet, 398Totem-Pole-Ausgang, 536, 548Totem-Pole-Ausgangsschaltung, 548Trägermaterial, 215, 323, 406, 519, 520Trägerstaueffekt, 96, 440, 446Transfergatter, 570, 621, 626Transil, 124Transimpedanzverstärker, 169, 470Transistor, Rauscheigenschaften, 272Transistoren, integrierte, 220, 294, 320, 323Transistoren, laterale, 324Transistoren, vertikale, 324Transistor-Schaltstufe, 284Transistor-Transistor-Logik, 527, 546transit frequency, 488transit time mode, 203Transitfrequenz, 276, 282, 283, 286, 303, 317,
329, 330, 383, 402, 403, 488, 489, 496,497, 678
Transitgrenzfrequenz, 282, 383, 384transition frequency, 282
Transitzeit, 61, 203–205, 210, 211, 294, 684Transitzeit-Betrieb, 203, 204Transkonduktanz, 369, 469, 470, 679, 681Transkonduktanz-Koeffizient, 369, 679Transkonduktanz-Verstärker, 469, 470Transmissionsgatter, 570Transportmodell, 290, 293, 294Transportstrom, 294Transzorb, 124TRAPATT-Diode, 207, 210, 211traps, 25, 431, 593Treiber, 321, 457, 458, 471, 529, 536, 550, 582Trench-Gate, 418Trench-IGBT, 418Trench-Isolation, 325Trennverstärker, 144, 498TRIAC, 446–448triode alternating current switch, 446Triodenbereich, 351Tri-State-Ausgang, 536, 550, 551, 662, 665Tri-State-Ausgangsstufen, 536TSE-Schutzbeschaltung, 440TTL, 399, 527, 529, 534–536, 539, 543–549,
551, 552, 554, 555, 557–559, 561, 563,566, 573, 582, 658, 659, 673
TTL-Pegel, 534TT-Modus, 204, 205tubs, 568Tunnel
~barriere, 604, 605~diode, 192, 195–199, 203-Durchbruch, 61~effekt, 64, 65, 193, 195, 595~element, magnetoresistives, 605~kontakt, 605~magnetwiderstand, 604~strom, 195, 197, 604~vorgang, 194~wahrscheinlichkeit, 605~widerstand, magnetischer, 604
Tunnel Injection, 602Tunnel Release, 602Tunneling Magneto Resistance Effekt, 604turn off time, 285turn on time, 285TVS-Dioden, 124Two Dimensional Electron Gas Field Effect
Transistor, 402
716 Stichwortverzeichnis
UÜbergänge
abrupte, 56hyperabrupte, 56isotype, 138lineare, 56
Übergangsbereich, 126, 127, 131, 533Übergangskennlinie, 426Übergangszeit, 96, 682Überhitzung, lokale, 327Überkopfzündung, 428, 432, 440Überlagerungsfarbe, 134Überlagerungssatz, 2Überspannungsableiter, gasgefüllte, 124Überspannungsspitzen, 120Übersprechen, 259, 532Übersteuerung, 120, 286, 287, 476, 484, 517Übersteuerungs
~bereich, 223, 240, 241, 285, 475~faktor, 286, 287, 683~grad, 286, 683~grenze, 241
Übertragungs~funktion, 491, 496, 497~gleichungen, 380, 468~kennlinie, 245, 352, 355, 356, 368–370,
372, 376, 413, 469, 470, 474, 475,483, 484, 513, 514, 532–534, 543,553, 566
-Kennlinienfeld, 234~steilheit, 246, 353, 369, 370, 414, 470, 681
UCP-Zelle, 602UJT, 337, 458–461ULSI-Schaltungen, 526Ultraschall, 522Ultrasonic-Bonden, 522Umgebungstemperatur, 143, 177, 253–256,
387, 473, 500, 529, 557, 681Umladestromspitze, 95, 97Umladevorgänge, 391, 548UMOS-Struktur, 396Unijunction-Transistor, 458Unijunction-Transistor, programmierbarer, 461Unipolartransistoren, 219, 337unity gain bandwidth, 488unity gain frequency, 282Unschärferelation, 193, 194Unterniveaus, 15UV-Bestrahlung, 589, 592
VVakuum, 16, 17Vakuumenergie, 17Vakuum-Level, 16Vakuumniveau, 17Valenzband, 15–18, 20–22, 24–28, 35, 36, 65,
132, 147, 165, 196, 197, 202, 328, 678,680
Valenzelektronen, 5, 6, 10, 11, 15, 21, 64, 196Varaktor, 183, 184, 617Varaktordiode, 556Varianz, 265–267, 684Varicap, 184Varistoren, 124VC-OPV, 469, 471VCSEL, 160Verarmungstyp, 340, 341, 360, 364, 366, 367,
372, 394, 562, 594Verarmungszone, 74, 75, 208, 211, 347, 364,
591Verdrahtungskanal, 673Verhalten
Ohm’sches, 365, 367Verhaltensdomäne, 636Verknüpfungslogik, 598Verlustleistung, 66, 68, 69, 94, 102, 104, 118,
161, 223, 252, 253, 255–257, 321, 343,372, 373, 376, 387, 390, 408–410, 427,434, 436, 443, 446, 460, 500, 516, 517,537, 538, 540–542, 544, 545, 553, 560,563, 565, 573, 627, 680
dynamische, 538, 566maximale, 101, 216, 250, 252, 253, 255,
257, 321, 384, 387, 388, 555, 680maximale Ptot, 103maximale thermische, 257statische, 255, 256, 538, 561, 563, 566
Verlustleistung Ptot, 130, 142Verlustleistungshyperbel, 257Verschiebungsstrom, 608Versorgungsspannungsbereich, 500, 564, 633,
640, 641Versorgungsspannungsunterdrückung, 473Verstärker, 3, 158, 192, 199, 217, 228,
231–233, 242, 344, 345, 351, 399, 463,464, 467, 469, 471, 473, 486, 487, 490,492, 493, 499, 505, 513, 517, 529
Verstärker, stromgegengekoppelter, 470Verstärkerbetrieb, 231, 232, 241
Stichwortverzeichnis 717
Verstärkerwirkung, 1Verstärkung, 156, 173, 199, 217, 223, 232, 247,
259, 327, 353, 370, 382, 399, 463, 464,470–473, 475, 476, 478–480, 486–491,493, 495–497, 499, 501, 504, 507, 510,514, 515, 621
Verstärkungs~-Bandbreite-Produkt, 282, 473, 488, 489,
678~bereich, 222, 223, 514~bereich, inverser, 224~betrieb, 224~eigenschaft, 2~führung, 157~reserve, 494
Verteilung, 18, 19, 32, 38, 135, 160, 225, 226,263–265, 272, 320, 326, 600, 641
Verteilungsdichte, 264–266, 680Verteilungsfunktion, 263, 264, 678vertical cavity surface emitting diode, 160Vertikaltransistor, 324Very Large Scale Integration, 526Verzerrungen, 188, 189, 232, 247, 300, 344,
513Verzögerungszeit, 207, 390, 391, 555, 557, 558,
640VHDL, 636, 639, 674Vierpol, 289, 301–303
~darstellungen, 303, 310~gleichungen, 289, 301–304, 309–311~parameter, 238, 244, 247, 301–304, 310,
314~theorie, 301
Vierquadranten-Kennlinienfeld, 248, 249, 305Vierschichthalbleiterbauelement, 406VLSI-Schaltungen, 526VMOS-Struktur, 393, 394, 396Vollaussteuerung, 443, 470, 502Voltage Feedback Operational Amplifier, 468Vorladen, 617, 621, 623Vorladeschaltkreis, 619, 620Vorwärtsbetrieb, 222, 232, 449, 548Vorwärtssperrspannungsstabilität, 413Vorwärtssperrzustand, 406, 408, 410, 413Vorwärts-Spitzensperrspannung, periodische,
440Vorwärts-Übertragungsfaktor, 312Vorwiderstand, 81, 126, 127, 129, 140, 569, 681VRAM, 625, 626
VV-OPV, 468, 471, 507
WWafer, 109, 113, 320, 325, 407, 453, 630,
644–647, 651Wahrscheinlichkeit, 18–20, 25, 194, 202, 258,
262–264, 272, 640, 643, 644, 647, 680Wahrscheinlichkeitsdichte, 264, 680Wahrscheinlichkeitstheorie, 258, 260Wahrscheinlichkeitsverteilung, 263, 678Wannierexziton, 147Wärme
~bewegung, 227, 269~kapazität, 117~lehre, 253, 254~leitfolie, 255~leitpaste, 255~strom, 253~übergangswiderstand, 253~widerstand, 66, 105, 108, 253, 254, 256,
257, 500, 681~zufuhr, 26
Watt peak, 181Wear-Leveling, 599–601Wechselspannungsbetrieb, 140, 446Wechselspannungsverstärkung, 224Wechselspannungswiderstand,
gleichstromgesteuerter, 191Wechselstromeingangswiderstand, 237Wechselstrom-Kleinsignalersatzschaltbild, 94,
317, 379, 381, 382Wechselstromsteller, 443, 444, 448Wechselstromverstärkung, 245, 279, 280, 683Wechselwirkung, 10, 13–15, 17, 25, 28, 142,
202, 603Wedge, 522Wellen
~gruppe, 160~längenunsicherheit, 135~parameter, 311~vektor, 23~widerstand, 206, 311, 544, 683~zahl, 23, 24, 202, 679
Welle-Teilchen-Dualismus, 193wells, 568WE-Signal, 582Widerstand, negativer differenzieller, 197, 426,
432
718 Stichwortverzeichnis
Widerstand, steuerbarer, 339, 351, 354, 373,374
Widerstände, 1–3, 177, 191, 217, 281, 317,335, 377, 388, 389, 397, 448, 482, 487,490, 517, 519, 520, 526, 544–546, 553,560, 637
Widerstandsrauschen, 259, 269, 270Widerstands-Transistor-Logik, 540Wiener-Khintchine-Theorem, 268Wire-Bonden, 522wired AND, 79, 536Wired-OR-Verknüpfung, 544Wirkungsgrad, 139, 153, 161, 175–178, 182,
204, 206, 210–212, 684Wortbreite, 582, 584Wortleitung, 578–580, 586, 591, 592, 594, 601,
606, 611–613, 617, 620, 621, 662Write Cycle Time, 585Write Enable, 582, 619Write Pulse Width, 584
XXIP, 598
YY-Diagramm, 635, 637Y-Leitwert-Matrix, 381ye-Leitwertmatrix, 302y-Parameter, 309, 310, 313, 314, 316
ZZ-Diode, 80, 103, 120, 125, 128–130, 385, 542Zeilenleitung, 578, 590, 613Zeitkonstante, thermische, 255Zenerbereich, 129Zener-Dioden, 65, 66, 80, 83Zenerdurchbruch, 61, 62, 64, 65, 68, 196Zener-Effekt, 64–66, 130Zenerspannung, 79, 128–130, 288, 683ZENER-Tunneln, 65, 196Zentralatom, 13
ZEROPOWER-RAM, 615Zerstörung, 61, 65, 82, 83, 103, 117, 140, 183,
251, 252, 258, 338, 376, 385, 399, 408,413, 588
Zerstörung, thermische, 356, 428, 437, 567Zinkoxid (ZnO), 6Zinkselenid (ZnSe), 6Zinksulfid (ZnS), 6Zone, verbotene, 15, 21, 34, 64, 65, 195, 197,
402Zonenschmelzen, 5Zufalls
~experiment, 260, 262~größen, 259, 265~prozess, 265~signal, 258, 260~variable, 260–265, 683
Zugriffszeit, 583, 584, 590, 593, 597, 598, 602,620, 621, 681
Zünd~ausbreitungszeit, 439, 682~bedingung, 430, 432, 436~bereich, 434, 435~eigenschaften, 446~impuls, 428, 443, 445, 454, 456~impulsdauer, 434~impulsgenerator, 437~impulskette, 434~spannung, 432, 434, 436, 459–461, 570,
682~strom, 426, 432, 434–437, 446~verzögerungszeit, 438, 682~verzugswinkel, 443~verzugszeit, 436, 438, 439~winkel, 443, 444~zeit, 434, 439, 682~zeitpunkt, 442, 443
Zünden, 124, 412, 421, 436, 443, 569Zustandsdichten, effektive, 27, 29, 195Zweitor, 301, 311–313Zweiwegthyristor, 446Zwischenniveaus, 25Z-Zustand, 536