Formelzeichen

a Schalttransistor: AusräumfaktorA Parameter: Stromverstärkungsfaktor beim Transistor A=IC/IEAF Parameter: „Flicker“ Rauschen, ExponentAL Induktivität pro WindungsquadratB Parameter: Stromverstärkungsfaktor beim Transistor B=IB/ICB BandbreiteBr Äquivalente Rauschbandbreite; z.B. Bandbreite der Leistungsverstär-

kungBETA PSpice-Parameter: Transkonduktanzkoeffizient, BETA = β/2BF Parameter: Maximale Stromverstärkung im Normalbetrieb eines BJTBR Parameter: Maximale Stromverstärkung im Inversbetrieb eines BJTbi Binärer WertBV Parameter: Durchbruchspannung eines pn-ÜbergangsC VerhältniszahlCMRR Parameter: GleichtaktunterdrückungC1 Kapazität: ReferenzbezeichnerCoo Koppelkapazität: Kurzschluß im BetriebsfrequenzbereichCD Kapazität: Diffusionskapazität eines pn-ÜbergangsCj Kapazität: Sperrschichtkapazität eines pn-ÜbergangsCJ0 Parameter: Sperrschichtkapazität eines pn-Übergangs bei 0VCJC Parameter: Sperrschichtkapazität der CB-Diode eines BJT bei 0VCJE Parameter: Sperrschichtkapazität der EB-Diode eines BJT bei 0VCJS Parameter: Substratkapazität eines pn-Übergangs bei 0VCGD Parameter: Gate-Drain Kapazität eines FETCGS Parameter: Gate-Source Kapazität eines FETCDS Parameter: Drain-Source Kapazität eines FETc0 Lichtgeschwindigkeit c0 = 2.997925m/sD DigitalwortD1 Diode: ReferenzbezeichnerdB Logarithmisches Maß einer Verhältniszahl a in dB: 20log(a)dBm Logarithmisches Maß einer Leistung a bezogen auf 1mW: 10log(a/1mW)E1 Spannungsgesteuerte Spannungsquelle: Referenzbezeichnere Konstante: e = 2.7182818e Elementarladung 1,602E-19AsEG Parameter: Bandabstand (bei Si ist EG = 1,11eV)F RauschzahlF1 Stromgesteuerte Stromquelle: ReferenzbezeichnerFC Parameter: Koeffizient zur Beschreibung der Spannungsabhängigkeit der

Sperrschichtkapazität Cj eines pn-Übergangsƒ Frequenz (allgemein)ƒg, ƒ1, ƒ2 Eckfrequenzen

626 Formelzeichen

ƒT Parameter: TransitfrequenzG1 Spannungsgesteuerte Stromquelle: Referenzbezeichnerg Komplexe Schleifenverstärkunggm Kleinsignalsteilheit im ArbeitspunktH1 Stromgesteuerte Spannungsquelle: ReferenzbezeichnerI Strom; DC-Wert bzw. statischer Wert, AmplitudeI(A) Strom im ArbeitspunktI, I1 Strom; komplexer Zeiger: AC-Werti, i1 Strom; zeitlicher Momentanwert: TR-Werti Zweigströme in Vektorform; zeitlicher MomentanwertÎ, Î1 Strom, Scheitelwert des zeitlichen MomentanwertsICB0 Parameter: Transistor-Sperrstrom von Kollektor zu Basis bei offenem

EmitterICÜ Schalttransistor: maximaler Strom bei ÜbersteuerungII0 Parameter: DC-OffsetstromIIB Parameter: DC-Eingangsruhestrom

Rauschstromquadrat, spektrale GrößeIBV Parameter: Knickstrom beim Übergang eines pn-Übergangs in den

DurchbruchbereichIKF Parameter: Knickstrom eines pn-Übergangs in Flussrichtung, oberhalb

dessen gilt der „Hochstrombereich“IKR Parameter: Knickstrom der Rückwärts-Stromverstärkung eines BJTIS Parameter: Sättigungssperrstrom eines pn-Übergangs

(bei Si ist in etwa IS = 10-15A)ISC Parameter: Sättigungssperrstrom der CB-Diode beim BJTISE Parameter: Sättigungssperrstrom der EB-Diode beim BJTISR Parameter: Rekombinationssperrstrom, bei Si beträgt ISR bei Normal-

temperatur ca. 1nA, sehr stark exemplarstreuungsabhängigISS Parameter: Sättigungssperrstrom der Substrat-DiodeI1 Stromquelle: ReferenzbezeichnerJ1 Sperrschicht-Feldeffekttransistor: Referenzbezeichnerk Boltzmannkonstante; k =1.38E-23Ws/Kk RückkopplungsfaktorK0 VCO-KonstanteKF Parameter: „Flicker“ Rauschen, KoeffizientKd Phasendetektor-KonstanteKP Parameter: Übertragungsleitwertparameter eines MOS-TransistorsL Kanallänge eines MOS-TransistorsL1 Induktivität: ReferenzbezeichnerLAMBDA Kanalängenmodulation, LAMBDA = λM Parameter: Gradationskoeffizient eines pn-ÜbergangsMJC Parameter: Gradationskoeffizient der CB-Diode eines BJTMJC Parameter: Gradationskoeffizient der EB-Diode eines BJT

Ir2 df⁄

Formelzeichen 627

MJS Parameter: Gradationskoeffizient der Substrat-DiodeM(...) ModellparametersatzM Übertrager: GegeninduktivitätM ModulationsindexM1 Isolierschicht-Feldeffekttransistor: ReferenzbezeichnerN Parameter: Emissionskoeffizient eines pn-Übergangs (idealtyp. Diode)NR Parameter: Emissionskoeffizient eines pn-Übergangs (Korrektur-Diode)NC Parameter: Emissionskoeffizient der CB-Diode eines BJTNE Parameter: Emissionskoeffizient der EB-Diode eines BJTNS Parameter: Emissionskoeffizient der Substrat-Diodepi komplexe NullstellenP komlexer Zählerausdruck in der Frequenzbereichsdarstellung P Leistung; MittelwertPI ImpulsverlustleistungPN NennverlustleistungPV VerlustleistungPVmax Maximal zulässige Gesamtverlustleistungp Leistung; zeitlicher MomentanwertPr RauschleistungdPr/df Spektrale RauschleistungsdichtePER Parameter: PulsperiodePW Parameter: Pulsweite1/Q komlexer Nennerausdruck in der Frequenzbereichsdarstellungqi komplexe PolstellenQ, Q0 Güte eines ResonatorsQ1 Bipolartransistor: ReferenzbezeichnerQDE Diffusionsladung eines BJTq Elementarladung eines Elektrons: e = 1.6E-19Asrb, RB Basisbahnwiderstand eines BJTRBM Parameter: Minimaler Bahnwiderstand eines BJTrD Differenzieller Widerstand einer Diode im Arbeitspunktre Differenzieller Widerstand der Emitter-Basis Diode im Arbeitspunktr0 Early-Widerstand eines BJTR1 Ohmscher Widerstand: ReferenzbezeichnerRL* Wirksamer Lastwiderstand; Zusammenfassung wirksamer WiderständeRS Parameter: Bahnwiderstand einer DiodeRth WärmewiderstandRth,jG Wärmewiderstand zwischen „Junction“ und GehäuseRth,jU Wärmewiderstand zwischen „Junction“ und UmgebungRth,GK Wärmewiderstand zwischen Kühlkörper und Gehäuserth,jG Dynamischer Wärmewiderstand zwischen „Junction“ und Gehäuserth,jU Dynamischer Wärmewiderstand zwischen „Junction“ und Umgebungs komplexe Frequenz (ohne Realteil)s „free“ Quantity

s jω=

628 Formelzeichen

S1 Spannungsgesteuerter Schalter: ReferenzbezeichnerT Temperatur in oC bzw. absolut in KTj Sperrschichttemperatur eines HalbleitersTjmax Maximal zulässige Sperrschichttemperatur eines HalbleitersTG GehäusetemperaturTF Parameter: ideale Vorwärts-Transitzeit eines BJTTR Parameter: ideale Rückwärts-Transitzeit eines BJTTT Parameter: ideale Transitzeit einer DiodeTU Umgebungstemperaturt Zeittd Verzögerungszeittf Schaltzeit: Abschaltzeittp Pulsdauertr Schaltzeit: EinschaltzeitT PeriodendauerU Spannung; DC-Wert bzw. statischer Wert, AmplitudeU(A) Spannung im ArbeitspunktU, U1 Spannung; komplexer Zeiger: AC-WertU11´ Spannung; komplexer Zeiger: AC-Wert zwischen Knoten 1 und 1´u, u1 Spannung; zeitlicher Momentanwert: TR-Wertu Knotenspannung bzw. Zweigspannung in Vektorform; zeitl. Momentan-

wertUB’E Spannung von der inneren Basis B’ zum Emitter Eü Übertrager: Übersetzungsverhältnisü Schalttransistor: ÜbersteuerungsfaktorUI0 Parameter: DC-OffsetspannungUid EingangsdifferenzspannungUid Eingangsdifferenzspannung; komplexer Zeiger

Spektrales Rauschspannungsquadrat

Rauschspannung (quadratischer Mittelwert)Up Schwellspannung eines FET (UP = VTO)US Schwellspannung einer DiodeUT Parameter: Temperaturspannung kT/e = 26mV bei NormaltemperaturU1 Referenzbezeichner einer Logikfunktionv Verstärkungv Komplexer Wert der Verstärkungvud0 Differenz-Spannungsverstärkung bei tiefen Frequenzenvud Komplexe Differenz-Spannungsverstärkungvug Gleichtakt-Spannungsverstärkungv21 Komplexe Verstärkung von Knoten 1 nach Knoten 2VA Parameter: Early-Spannung eines BJTVAF Parameter: Early-Spannung eines BJT im Normalbetrieb

Ur2 df⁄

Ur

Formelzeichen 629

VAR Parameter: Early-Spannung eines BJT im InversbetriebV1 Spannungsquelle: ReferenzbezeichnerVi Knotenpotenzial: Spannung von Knoten i zum BezugsknotenV Spannungen von Knoten i zum Bezugsknoten in VektorformVJ Parameter: Diffusionsspannung eines pn-ÜbergangsVJC Parameter: Diffusionsspannung der CB-Diode eines BJTVJE Parameter: Diffusionsspannung der EB-Diode eines BJTVJS Parameter: Diffusionsspannung der Substrat-DiodeVTO Parameter: Abschnürspannung eines FETW Kanalbreite eines MOS-TransistorsXTI Parameter: Temperaturexponent des Sättigungssperrstroms ISXTB Parameter: Temperaturkoeffizient der Stromverstärkung eines BJTZ ImpedanzZ Zählerstand Z, Z1 Impedanz; AC-WertZid Impedanz; AC-Wert: Differenz-EingangswiderstandZa Impedanz; AC-Wert: AusgangswiderstandZ11´ Impedanz: AC-Wert zwischen Knoten 1 und 1´

Kleinsignal-Stromverstärkungsfaktor bei tiefen Fre-quenzenKleinsignal-Stromverstärkungsfaktor bei tiefen Fre-quenzenTranskonduktanzwert beim FeldeffekttransistorÄnderung einer GrößePermittivitätszahlElektrische Feldkonstante Wirkungsgrad bei TreiberstufenKanallängenmodulationLadungsträgerbeweglichkeit der ElektronenPermeabilitätszahlMagnetische Feldkonstante Tastverhältnis Dämpfungskonstante Konstante PhasenwinkelPhasenwinkel des komplexen Ausdrucks 1/QPhasenwinkel des komplexen Ausdrucks U2/U1Laplacetransformierte eines PhasenwinkelsKreisfrequenz Eigenkreisfrequenz

α0 α0 ΔIC ΔIE⁄=

β0 β0 ΔIC ΔIB⁄=

βΔεrε0 ε0 8 854 12–×10 As Vm⁄,=ηλμnμrμ0 μ0 1 256 6–×10 Vs Am⁄,=ν ν tp T⁄=ξπ π 3 1415926,=ϕϕ1 Q⁄ϕU2 U1⁄Θω ω 2 π f⋅ ⋅=ωn

Empfohlene Literatur

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AA/D-Wandler 574, 593, 603

-Ein-Rampenverfahren 604-Iterationsverfahren 607-Parallelverfahren 610-Quantisierungsfehler 607-Sukzessive Approximation 606-VHDL-AMS Modell 608-Zählverfahren 603-Zwei-Rampenverfahren 604

AB-Betrieb 319, 503Abblockkondensator 578A-Betrieb 318, 503Abschätzanalyse 8, 66, 522Abtastfrequenz 598Abtasthalteschaltung

-mit gesteuertem MOS-Schalter 601Abtasthalteschaltungen 600Abtasttheorem 598Abwärts-Mischstufe 564AC-Analyse 31, 51

-Einstellungen 52AC-Arbeitsgerade 328AC-Multimeter 29AGC 533, 578Aktive Signaldetektoren 298AM-Detektor 63

-Demodulationssignal 64-Modulationsfrequenz 64-Modulationssignal 63-Trägerfrequenz 64

Amplitudenmodulation 565amplitudenmoduliertes Signal

-Modulationsfrequenz 204-Modulationsgrad 204-Trägerfrequenz 204

amplitudenmoduliertes Signal (AM) 204Amplitude-Shift-Keying 566Analog/Digital Wandlung 603Analog/Digitale Schnittstelle 581Analoge Filterschaltungen 300

-Bandpass 303-Bandstoppfilter 304-Hochpass 302-Tiefpass 301

Analoger Modellteil 91Analogmultiplizierer 545, 567Analogspeicher 600Anforderungsdokument 11

Angepasster Tiefpass/Hochpass 190Antennenanpassschaltung 578Antennenanpassungsschaltung 575Antialiasing-Filter 599Anti-Blockier-Systemen 19Arbeitsgerade des Eingangskreises 327, 393ASIC 10ASK-Modulation 566Astabiler Multivibrator 308, 568Attribute an Symbolen 45

-Implementation Path-Attribut 45-Implementation Type-Attribut 45-Implementation-Attribut 45-Reference-Attribut 46-Reference-Designator 41-Template-Attribut 45-Value-Attribut 45

Attribut-Eigner 45Attribut-Name 42, 45Attribut-Wert 42, 45Aufwärts-Mischung 564Automotive-Anwendungen 21Auto-Router 13

BBandgap-Referenzschaltung 498Basisgrundschaltung 342Baugruppenträger 13Begrenzerschaltungen 210Bezugspotenzial 7Bias Point 50Binäre Phasenumtastung 569Bipolartransistor 311

-Abschätzanalyse 313-AC-Modellvarianten 142-Arbeitsgerade des Ausgangskreises 328-Arbeitsgerade des Eingangskreises 327-Arbeitspunkteinstellung und Stabilität 318-Ausgangskennlinien 127-Aussteuerung im Arbeitspunkt 329-Bahnwiderstände 132-Basisbahnwiderstand 134-Basislaufzeit TF 148-DC-Modellvarianten 139-differenzieller Widerstand re 143-Diffusionskapazität 136, 143-Early-Effekt 134, 141-Early-Spannung 134

Stichwortverzeichnis

Stichwortverzeichnis 633

-Injektionsstrom 128-inverse Stromverstärkung BR 139-Inverser Betrieb 139-Kleinsignalmodell 135-Kollektor-Basis-Raumladungszone 133-Ladungsdreieck 133-mit Stromquelle als Last 365-Normalbetrieb 127-optimaler Lastwiderstand 325-parallelgegengekoppelt 316, 352-physikalischer Aufbau 132-Rauschanalyse 340-Rekombinationssperrstrom 130-Sättigungsbetrieb 138-Sättigungssperrstrom IS 128-Schalteranwendungen 368-seriengegengekoppelt 313, 355-Simulationsmodell in VHDL-AMS 152-spannungsgesteuerter Schalter 368-Sperrbetrieb 139-Sperrschichtkapazität 132, 136-Sperrstrom ICB0 128, 131-Steilheit im Arbeitspunkt 135-Stromverstärkung B 128, 131-Substratkapazität 136-systematische Arbeitspunktanalyse 325-Temperaturabhängigkeit UBE 319-Transistoreffekt 133-Transitfrequenz 138, 144-Transitzeit der Ladungsträger in der Basis-

zone 137-Transportmodell 140-Übertragungskennlinie 127

Bit 5Bodediagramm 70

-Asymptoten 70-Eckfrequenzen 70-Frequenzgangverlauf 70-Primitivfaktor Typ1 71-Primitivfaktor Typ2 72-Primitivfaktor Typ3 73-Primitivfaktoren 71-RC-Tiefpass 76-Verstärkerschaltung mit zwei Stufen 79

BOM - Bill of Material 38BPSK-Modulator 569Brückengleichrichter 196Brückenverstärker 294

CCapture 32, 37

-Add Libraries 34

-Änderung des Widerstandswertes 51-Design Cache 34-Designsheet 33-Place Part 34-Place Wire 34-Taskleiste 33

Carrier Frequency 565C-Betrieb 319, 503CE-Kennzeichnung 15CMOS

-HCT 581CMOS-Inverter 428

-Latch-Up Effekt 432-Schaltverhalten 430-spannungsgesteuerte Schalter 433-Verstärker 436

CMOS-Logikfamilien 582CMOS-NAND-Gatter 434CMOS-NOR-Gatter 434CMOS-Schalter 449CMOS-Schaltkreistechnik 374CMOS-Transmission-Gate 435CMRR

-Gleichtaktunterdrückungsverhältnis 275Colpitts-Oszillator 580Component Instantiation 100Concurrent-Signal-Assignment 591

DD Verstärker 520D/A-Umsetzer 593D/A-Umsetzung

-mit gestuften Spannungen 597-mit gestuften Stromquellen 595-mit gewichteten Kapazitäten 597

DAE 89Darlingtonstufen 357, 408Datenblatt 278DC-Analyse 30, 50DC-Arbeitsgerade 328DC-Multimeter 29DC-Sweep-Analyse 506DCSweep-Analyse 484, 529Delta-Sigma Modulat 615Delta-Sigma Wandler 521, 615Demodulator 574Design Manager 33Designinstanz 34, 38, 41, 583Designsheet 38, 41Detektorschaltung 64Dezimator 615D-FlipFlop 585

634 Stichwortverzeichnis

Dickschicht- oder Dünnfilmtechnik 20Differenzaussteuerung 458Differenzial-Algebraische-Gleichungssysteme89Differenziator 175, 533Differenzstufe 455

-AC-Analyse bei Gleichtaktansteuerung 465-AC-Modell 458-Aussteuerverhalten 459-basisgekoppelt 469-emittergekoppelt 455-gategekoppelt 486-in Kaskodeschaltung 480-mit Feldeffekttransistoren 484-Offsetverhalten 465-sourcegekoppelt 484-Strombegrenzung 460-Stromspiegel im Lastkreis 473-Übertragungskennlinie 456-unsymmetrischer Ausgang 468-verfeinertes AC-Modell 464

Digital/Analog Wandlung 593Digitaler Modellteil 89Diode 105

-Arbeitspunkt im Flussbereich 61-Kapazitätsdiode 111-Linearisierung im Arbeitspunkt 62-Modellbeschreibung 105-spektrales Rauschstromquadrat 124-statische Kennlinie 106-Testbench Kennlinien 106-Testbench Sperrschichtkapazität 112-Testschaltung Speicherzeit 113

Dioden-Backwarddioden 192-Detektordioden 193-Gleichrichterdioden 192-Photodioden 192-pin-Dioden 192-Schaltdioden 192-Tunneldioden 192

Diodenbrücken 603Dioden-Modell 106

-differenzieller Widerstand 108-Diffusionskapazität 112-Diodenstrom 106-Durchbrucheffekt 110-Durchbruchspannung 110-Idealtypisch 108-Korrektur-Diode 109-Realer Sperrstrom 109-Rekombinationssperrstrom 109-Speicherzeit 113

-Sperrschichtkapazität 106, 111-Statische Modellparameter 110-Transportsättigungssperrstrom IS 108-verzögerter Stromkomponente 106

Dioden-Modell vereinfacht-Durchbruchbereich 116-Flussbereich 115-Sperrbereich 115

Diodenschaltung 60-Abschätzung der AC-Analyse 61-AC-Lösung 63-Arbeitspunkt 60-Arbeitspunktbestimmung 62-DC-Lösung 62-TR-Analyse 63

Diodenschaltungen-Begrenzerschaltungen 210-Detektorschaltung 63-Klemmschaltungen 212-Parallelbergenzer 210-Reihenbegrenzer 210-Schutzschaltungen 212-Signaldetektorschaltungen 201-Spannungsquelle 200-Spitzendetektor in Reihen- und Parallel-

schaltung 201Direct Conversion 574Doppelgegentakt-Mischer 535Doppelweggleichrichter 195Drehratensensor 19Durchflusswandler 214Dynamik 236, 297

-1dB-Kompressionspunkt 236-Grenzsignalleistung 236

EE - spannungsgesteuerte Spannungsquelle 39Early-Effekt 134ECL 25, 581Einweggleichrichter 194Elektronik-Labor 28Emitterfolger 348Emittergrundschaltung 333Empfangssignal 575Entscheider 564Entwicklungsmethodik 9Entwicklungsprozess 9Ereignissteuerung 589Ereignistabelle 587, 590ESD Schutz 278Event-Queue 587, 590EXOR-Phasenvergleicher 548

Stichwortverzeichnis 635

FF - stromgest. Stromquelle 39Feinentwurf 9, 12Feldeffekttransistor 391

-Abschnürbetrieb 157-Abschnürpunkt 166-Abschnürspannung Up 156-AC-Ersatzschaltbild JFET 162-AC-Ersatzschaltbild MOSFET 169-AC-Modell JFET 399-Anreicherungstyp MOSFET 165-Anwendung des Linearbetriebs 414-Anwendungsschaltungen 401-Arbeitspunkteinstellung und Arbeitspunkt-

stabilität 393-Ausgangskennlinien 159-Aussteuerung einer Verstärkerschaltung 396-Aussteuerung im Arbeitspunkt 398-Bulkanschluss MOSFET 167-Depletion-MOSFET 165-digitale Anwendungsschaltungen 419-Drain-Grundschaltung 403-Early-Effekt 163-Early-Spannung 163-Enhancement-MOSFET 165-Exemplarstreuungen 396-Gate-Grundschaltung 403-Innenwiderstand der Stromquelle 163-Inversionsladung MOSFET 166-Inversionsschicht MOSFET 166-Isolierschicht-Feldeffekttransistor MOSFET

155-Kanalbreite W 164-Kanallänge L 164-Kanallängenlängenmodulation 157-Kanalzone 156-Kennlinien N-JFET 159-Kennlinien P-JFET 160-optimaler Lastwiderstand 396-physikalischer Aufbau N-JFET 156, 158-physikalischer Aufbau N-MOSFET 163-Rauschen JFET 163-Rauschen MOSFET 170-Rekombinationssperrstrom IGSS 157-Schwellspannung Up 156-Source-Grundschaltung 402-spektrale Rauschspannung am Eingang 402-Sperrbetrieb 156-Sperrschicht-Feldeffekttransistor JFET 155-Sperrschichtkapazitäten 157-Steilheit 162, 399-Steuerung der Raumladungszonen (RLZ)

156

-Stromergiebigkeit 157-Stromquellen-Betrieb 155-Symbol JFET 155-Symbol MOSFET 167-Temperaturabhängigkeit der Übertragungs-

kennlinie 396-Transkonduktanzkoeffizient 157-Übertragungskennlinie 159-Übertragungsleitwertparameter 166-Verarmungstyp MOSFET 165-Verstärkergrundschaltungen 402-VHDL-AMS Modell N-MOSFET 172-Widerstandsbetrieb 156

Fertigungsdaten 13Fertigungsfreigabe 10, 13Fertigungsunterlagen 10FM-Demodulation 538, 562FM-Demodulator 206

-Flankendetektor 207FM-Tuner 575Footprint 21, 42Frequency-Shift-Keying 567Frequenzdiskriminator 189Frequenzgangausdruck 70

-Nennerpolynom 71-Polynomdarstellung 70-Übertragungsfunktion 71-Zählerpolynom 71

Frequenzgangkorrektur 266Frequenzkompensierter Spannungsteiler 178Frequenzmodulation 565frequenzmodulierte Signale 575frequenzmoduliertes Signal (FM) 206Frequenzsynthese 564FSK-Modulation 567Funkelrauschen 120Funkempfänger 564, 574, 575Funksender 564Funkstrecken 564Funktional gesteuerte Quellen 43Funktionale Verifikation 28Funktionsgeneratoren 29Funktionsgrundschaltungen 24Funktionsmodell 582Funktionsmodelle 26Funktionsprimitive 24, 455Funktionsschaltkreise 24Funktionsschaltungen 455

GG - spannungsgesteuerte Stromquelle 39Gategekoppelte Differenzstufe 486

636 Stichwortverzeichnis

Gatelevel-Simulator 295Gegentaktansteuerung 273Gehäuse 21Gehäuseformen 23Generic-Attribut 591Geradeausempfänger 574Gesteuerte Quellen 39getakteter Integrator 618getakteter Komparator 616Gilbert-Mischer 536Gleichrichterschaltungen 192

-Doppelweggleichrichter 195-Einweggleichrichter 194-Spannungsverdopplerschaltungen 197-Spannungsvervielfacherschaltungen 198

Gleichspannungsanteil 4, 5Gleichtaktansteuerung 273Gleichtaktunterdrückung 455, 465Glitches 595

HH - stromgest. Spannungsquelle 39Halbwellendetektor 298HC/HCT 582Hierarchische Vorgehensweise 575Hochpass 190

-Angepasst 190Hold-Zeiten 584Hybrid-Schaltungstechnik 20

II/O-Modell 295, 584I/Q-Demodulator 574I/Q-Mischer 572I/Q-Modulator 571IEEE-Standard 1076.1 89Impedanznomogramm 75Impedanztransformator 24, 580Implementation Path-Attribut 45Implementation Type-Attribut 45Implementation-Attribut 45Induktiver Abstandssensor 19, 448Inphase-Signal 572Instanziierung 41, 588

-physikalischen Instanziierung 41-virtuelle Instanziierung 41

Instrumentenverstärker 293Integrator 175Iterations- bzw. Wägeverfahren 606Iterationsregister 606

JJitter 542

-Phasenjitter 564Junction 84

KKapazitätsbelag 178

-Koaxialkabel 178Kapazitätsdiode 578Kapazitiv gekoppelte Resonanzkreise 185Kapazitiver Spannungsteiler 177

-Impedanztransformator 177Kaskode-Schaltung 362Kernmaterial

-AL-Wert 181Kettenleiternetzwerk 596Klemmschaltungen 212Knoten-Admittanzgleichungen 59Knoten-Differenzspannungen 7Knotenpotenziale 7Knotenspannung 7Komparator 219, 231, 308, 449, 603Komparatoren 456Komparatorschwelle 456Komplementäre Emitterfolger 515Komplexe 5Komplexe Zeiger 5Kompressor/Expander-Verstärker 297Konstantspannungsquellen 496Konstantstromquellen 489Konzeptphase 9

LLabormuster 10Ladungsträgerbeweglichkeit 166Layout 18Layout-Editor 13Layoutentwicklung 13Layouterstellung 10LC-Resonator

-Güte 184-Induktiv gekoppelt 186-Kapazitiv gekoppelt 185-Kennwiderstand 184-Parallelresonanzkreis 184-Phasensteilheit 184-Resonanzfrequenz 184-Serienresonanzkreis 188

LC-Resonatoren 184Leistungsanpassung 119Leistungsverstärker 564

Stichwortverzeichnis 637

Leiterplatte 13Leiterplattentechnik 20Lineare Schaltungen 48Linearisierte Schaltungen 48Linearisierung nichtlinearer Schaltungen 60

-Taylor-Reihe erster Ordnung 60Linearverstärker 219

-Ausgangswiderstand 220-Aussteuergrenzen 228-Dynamik 236-Eingangswiderstand 220-Grundmodell 219-innere Rauschquellen 121-Makromodelle 219-Modell mit spannungsgesteuerter Span-

nungsquelle 222-Modell mit spannungsgesteuerter Strom-

quelle 224-parallelgegengekoppelt 252-PSpice-Makromodell 222-Rauschen 232-rückgekoppelt 237-Schnittstellenverhalten 226-seriengegengekoppelt 247-Verstärkungsfrequenzgang 220-VHDL-AMS Modellbeschreibung 223

Lizenzgebühr 450LNA 564Local Oscillator 565Logarithmischer Verstärker 378Logikfamilien 581Logikinstanz 585Logiksignal 582

-Auflösungsfunktion 583-std_logic 583-Treiberstärke 583

Logiksimualtion 582Logiksimulation 89, 591

-Algorithmus 90-Ereignistabelle 90-Folgeereignisse 90-VHDL-Modell 89

Logiksystem-Datenselektoren 584-Decoder/Encoder 584-Ereignissteuerung 589-FlipFlops 584-Funktionsblöcke 583-Funktionsmodell 583-I/O-Modell 584-Modellbeschreibung von Logikfunktionen

in PSpice 585-PSpice Grundmodelle 584

-PSpice Timing-Modell 585-PSpice-Funktionsmodell 585-Register 584-Schematic-Modell 583-Standard-Gatter 584-Subcircuit-Modell 583-Timing-Modell 584-Timing-Parameter 584-VHDL-Modell 583-Zähler 584

Logikzustände 582LSB 594

MMachbarkeitsstudie 10Makromodelle 26Mapping 23Marketing 10Marketing Requirements 11Marktanalyse 10Maschen-Impedanzgleichungen 59Masse-Versorgungssystem 13Mikrofonverstärker 405Miller-Effekt 362Mischer 535, 575, 578Mittelwelle 204Mittelwellenempfänger 65, 204MNA-Methode 54

-Aufstellen der Netzwerkmatrix 57-Knoten-Admittanzgleichungen 56-Maschen-Impedanzgleichungen 58

Model Editor 34, 113Model Library 34, 42, 583Modelle 42

-Intrinsic-Modelle 43-Intrinsic-Modelle mit Parametersatz 44-Makromodelle 42-Modell-Referenz 42-Parametrisierbare Modelle 46-Registrierung 46-Schematic"-Modelle 44-Subcircuit-Modelle 45

Modulationsverfahren 565Modulfertigung 10Modultest 10Monolithisch integrierte Schaltungstechnik 21MOS-Schalter 595MSB 594Multi-Emitter-Transistor 374Musteraufbauten 28Musterfertigung 10Musterprüfung 14

638 Stichwortverzeichnis

NNachregistrierung 34Netzknoten 7Netzliste 35, 38, 41, 42Netzwerkanalysator 29Newton-Methode 57Nichtlineare Schaltungen 49NMOS-Inverter 412, 419

-mit ohmscher Last 419-mit selbstleitendem NMOS-Transistor als

Last 425-mit selbstperrendem NMOS-Transistor als

Lastkreis 422Noise-Shaping 622Nyquist-Abtastung 622

OOffsetverhalten 220, 465Operationsverstärker 273

-AC - Parameter 274-Analog-Addierer 296-Analoge Integratoren 299-Ausgangsaussteuerbarkeit 276-Ausgangsoffsetspannung 281, 284-Aussteuerparameter 274-Datenblatt 278-DC -Parameter 274-Eingangsoffsetspannung 275-Eingangsoffsetstrom 275-Eingangsruhestrom 273-Gegentaktansteuerung 273-Gegentaktverstärkung 273, 274-Gesamtrauschspannung 288-Gleichtaktansteuerung 273-Gleichtaktunterdrückung 280-Gleichtaktunterdrückungsverhältnis 275-Makromodell 277-maximaler Ausgangsstrom 276-Offsetkompensation 287-Rauschen 287-Ruhestromkompensation 286-Slew - Rate - Parameter 274-Slew-Rate Verhalten 289-Strombegrenzung 278-Symbol 277-Versorgungsparameter 274-Versorgungsspannungsempfindlichkeit 275-VHDL-AMS Modell 291

Optischer Empfänger 380, 562OP-Verstärker uA741

-Abschätzanalyse 522-Arbeitspunkteinstellung 522

-erste Stufe 523-Slew-Rate Verhalten 525-Treiberstufe 525-zweite Stufe 524

Orcad-Lite/PSpice 103Oszillator 2, 575, 578

-AM/FM-modulierbar 382-Laufzeit-Prinzip 443-Negativ-Impedanz-Oszillator 382-Resonanzkreis-Oszillator 382-spannungsgesteuert 443, 538

Oszilloskop 29Oxid-Kapazität 166

PPackage 21, 42Parallegegenkopplung 258Parallelbergenzer 210Parallelresonanzkreis mit Bandpasscharakteri-stik 184Part 42Passive Funktionsgrundschaltungen 175

-Integrator und Differenziator 175-Kapazitiver Spannungsteiler 177

Patent 450PCB 13PFD 550PFD Phasendetektor 539Pflichtenheft 11Phasendetektor 447, 538

-Zustandsdiagramm 447Phasenmodulation 565Phasenrauschen 542Phasenregelkreis 538Phasenreserve 265, 270Phasenvergleicher 445

-VHDL-AMS Modellbeschreibung 545Photo/Ätztechnik 20Physical View 21Physikalischer Entwurf 10Pin-Namen am Symbol 47Pipeline-Umsetzer 610PLL-Schaltkreis 538

-Anwendungen 562-Aufbau und Wirkungsprinzip 538-Fangbereich 554, 556-Fehlerübertragungsfunktion 556-Frequenzsynthese 564-Haltebereich 554-Loop-Filter 552-Phasenübertragungsfunktion 555-Phasenvergleicher 544

Stichwortverzeichnis 639

-Rauschsignalunterdrückung 541-Restphasenfehler 540-spannungsgesteuerter Oszillator VCO 541-Stabilität des Regelkreises 559-statisches Verhalten im Haltebereich 554-Systemverhalten 554-Ziehbereich 554

PLL-Synthesizer 538PMOS-Schalter 452pn-Übergang 105

-Raumladungszone 105-Schwellspannung 105

Potenzialverschiebung 499Power-Supplies 28Produktentwicklungsprozess 9Produktidee 10Propagation-Delays 584Property Editor 35Prototypenfertigung 13Prototypenverifikation 28Prototypfertigung 10PSpice

-ABM-Library 39-ANALOG-Library 39-C - Kapazität 39-D - Diode 39-E, G, H, F 39-EVAL-Library 39-EValue 39-GValue 39-I - Stromquellen 40-J - Sperrschichtfeldeffekttransistor 39-L - Induktivität 39-M - NMOS oder PMOS 39-Q - Bipolartransistor 39-R- Widerstand 39-S - Schalter 213, 433-SOURCE-Library 39-T - Transmissionline 39-V - Spannungsquellen 40

Pulsweiten-Modulation 615Puls-Weiten-Modulationsverfahren (PWM)521PWM-Signal 521

QQPSK-Modulator 573Quadratur-Signal 572Quantisierungsfehler 599Quantisierungsrauschen 599, 622Quell-Signal 565Querschalter 368

RRail-to-Rail Verstärker 229Rauschanpassung 235Rauschen

-Kettenschaltung von Verstärkern 235Rauschen eines BJT-Verstärkers 144Rauschformung 621Rauschgrößen 118

-Amplitudenrauschen 118-mittleres Rauschspannungsquadrat 119-Phasenrauschen 118-Rauschleistung 119-spektrale Rauschleistungsdichte 118-spektrale Rauschspannung 118-thermisches Rauschen 118-V(ONOISE) 120

Rauschmessplatz 29Rauschquellen 121

-frequenzabhängige Rauschspannungsquelle 121

-frequenzabhängige Rauschstromquelle 123Rauschübertragungsfunktion 621Rauschverhalten einer Diode 125Rauschzahl 233RC-Resonator 182

-Resonanzfrequenz 183Receiver 16Reference-Designator 38Referenzbezeichner 38Referenzspannung 200Reflow-Löten 14Reflow-Lötverfahren 20Regelverstärker 533Registrierung 34requenzmoduliertes Signal

-Demodulation 206-Modulationsfrequenz 206-Modulationshub 206-Trägerfrequenz 206

Resonanztransformator 383Resonator 383Rückgekoppelte Systeme

-Differenziator 266-Spannungsfolger 263

Rückgekoppeltes System 238-Frequenzgang 244-Frequenzgangkorrektur 258, 260-Phasenreserve 262-Schleifenverstärkung 259-Stabilitätsbetrachtung 258

Rückgekoppeltes Sytem-Verstärkungs-Bandbreiteprodukt 244

Rückkopplung 237

640 Stichwortverzeichnis

-Gegenkopplung 239-offene Schleife 239-Rückkopplungsfaktor 238-Rückkopplungspfad 238-Rückkopplungsschleife 240-Schleifenverstärkung 238, 239-Schwingbedingung 238, 240

Rükgekoppeltes System-Schleifenverstärkung 244

SSägezahngenerator 452, 603Sample&Hold-Schaltungen 600Sample&Hold-Stufe 599SAW-Resonator 382Schaltdioden 603Schalteranwendungen

-Abfallzeit 371-Anstiegszeit 371-Ausräumfaktor 371-Einschaltverzögerung 371-Längsschalter 374-Speicherzeit 371-Übersteuerungsfaktor 369

Schalter-Kondensator-Technik 438-Integratorschaltung 442-Ladungstransfer 438-RC-Tiefpass 438

Schaltkreisfunktion 23Schaltkreissimulation 31Schaltkreissimulator 37Schaltnetzteil 452Schaltnetzteile 214

-Durchflusswandler 214-primär getaktet 214-Schalttransistor 214-sekundär getaktet 214-Sperrwandler 214-Wirkungsgrad 215

Schaltplan 17Schaltplaneingabe 33, 37Schalttransistor 214, 371Schaltungsanalyse 37Schaltungsentwicklung 9Schematic 32Schematic-Modelle 44Schematic-View 47Schleifenverstärkung 238Schmitt-Trigger 306

-Hysterese 306-Schaltschwellen 307

Schottky-Dioden 603

Schrotrauschen 120Schutzrechte 450Schutzschaltungen 212Schwall-Löten 14Schwingbedingung

-Selbsterregungsfrequenz 242SC-Technik

-Switched-Capacitor-Technik 438Selektionskreis 578Selektionskreise 575Sensorelektronik 19, 449Sensorverstärker 294

-Brückenverstärker 294Seriengegenkopplung 258Setup 33Set-Up-Zeiten 584Signale 3

-binäre 3-deterministische 3-nichtdeterministische 3-Rauschgrößen 3-Signalgeneratoren 4-Signalquelle 3-sinusförmige 4-zeitdiskretisierte 3-Zufallssignale 3

Signalquellen 29, 37, 39-spannungsgesteuerte Spannungsquelle 7-trapezförmige Impulsquelle 40-unabhängige Signalquellen 6-VPULSE 41-VSIN 41

Signal-zu-Rauschleistungsverhältnis 232, 233,599Simulation Profile 35, 37sinusförmige Wechselspannung 4

-Effektivwert 5-Gleichspannungsanteil 5-Nullphasenwinkel 5-Wechselspannungsamplitude 5

Slew-Rate-Parameter 276SMD 20Sourcegekoppelte Differenzstufe 484Spannungsfolger 263, 531spannungsgesteuerter Halbleiterschalter 214Spannungsgesteuerter Oszillator (VCO) 443Spannungsgesteuerter Schalter 368, 569Spannungsregler 196Spannungsstabilisierungsschaltung 200Spannungsverdopplerschaltungen 197Spannungsvervielfacherschaltungen 198Spektralanalyse 29Spektraldarstellung 29

Stichwortverzeichnis 641

Spektrumanalysator 29Sperrwandler 214, 217Spezifikation 9Spice 43Steilheit 225Steil-heitsmischer 536Stimuli-Beschreibung 588Störimpulse 595Störspannung 68Stromflusswinkel 194, 503Stromspiegel 472Stückliste 13, 38Subcircuit-Modelle 45Subsystementwicklung 12Subsystementwurf 9Suchindex (*.ind) 46Superheterodyn-Prinzip 574Symbol 21

-Attribute 47-Pin 47-Pin-Namen 47-Symbolkörper 47

Symbol Editor 32Symbol Library 34, 38

-ABM 38-ANALOG 38-EVAL 38, 39-SOURCE 39-USER 39

Symbolische Beschreibung 37Symbolpins 39Systemaufteilung 9Systementwicklung 10Systementwurf 9Systemintegration 15Systemkonstruktion 9Systemprüfung 10Systemsimulation 10Systemspezifikation 11Systemtest 10SystemVision 103

TTachometerschaltung 299Taktrückgewinnung 538, 564Taktsignalsynchronisation 538Teilelogistik 13Testadapter 29Testbench 28, 37Testplatine 29Thermometercode 610Tiefpass 191

-Angepasst 190Timer-baustein 555D 452Timing-Modell 582, 584Torzeit 603Trace Expression 36Trägerfrequenzsignal 565TR-Analyse 31, 53

-Abbruchschranke 54-adaptive Schrittweitensteuerung 55-Algorithmus 54-Einstellungen 53-Initial Conditions 54-Iterationsschritt 56-Maximalschrittweite 55-Zeitschrittweite 54

Transimpedanzbeziehung 254, 278, 317, 412Transimpedanzverstärker 449Transistorschalter 213Transmitter 16Transportsättigungssperrstrom IS 108Treiberstärke 582Treiberstufen 502

-A-Betrieb 503-A-Betrieb mit gesteuerter Stromquelle 511-Komplementäre Emitterfolger im AB-Be-

trieb 517-Komplementäre Emitterfolger im B-Betrieb

515-Wirkungsgrad 508

Treppengenerator 295Triodenbereich 156TriState-Ausgang 550TTL 581

-LS 581TTL-Inverter 375TTL-Schaltkreistechnik 374

UÜberabtastung 599, 622Überlagerungsempfang) 574Überlagerungsempfänger 575Überlagerungssatz 6Übersteuerungsstrom ICÜ 369Übertrager 181

-Gegeninduktivität 181-gekoppelte Induktivitäten 181-Kernmaterial 181-Koppelfaktor 181-Übersetzungsverhältnis 181

UKW-Übertragungssystem 206

642 Stichwortverzeichnis

VValue-Attribut 47Varaktordiode 112VCO 567

-Makromodell 542-VHDL-AMS Modellbeschreibung 543

VCO-Konstante 542VDE-Vorschriften 15Vektorvoltmeter 29Versorgungsimpedanz 67Versorgungsspannungenquellen 28VHDL 89, 583

-Architecture 586-Component Instantiation 90, 587-Concurrent Signal Assignment 90, 587-D-FlipFlop 586-Entity 586-Entity Generic-Attribute 586-Entity Port-Deklaration 586-Process 90, 586-Strukturmodell 586-Strukturmodelle 90-Verhaltensmodell 586-Verhaltensmodelle 90

VHDL-AMS 89-Architecture 95-Beschreibung einer Testschaltung 96-Branch Quantities 93-charakteristische Beziehungen 91-Entity 94-Entity Port-Declaration 98-Entity-Declaration 97-Flussgrößen 91-Free Quantities 93-free QUANTITY 91-Generic-Attribute 94-konservative Systeme 91-Libraries und Packages 93-Modellbeschreibung der Testbench für die

Diodenschaltung 99-Modellbeschreibung einer DC-Quelle 99-Modellbeschreibung einer DCSweep-Span-

nungsquelle 100-Modellbeschreibung einer Diode (level0) 98-Modellbeschreibung eines realen Widerstan-

des 101-Modellbeschreibung eines Widerstandes 97-Modellbeschreibung für eine Testbench 103-Nature 92-nichtkonservative Systeme 91-Quantity-Attribute 94-Simultaneous Case Statement 96-Simultaneous Procedural Statement 96

-Simultaneous Statements 95-Terminals 92-through QUANTITY 91-Verhaltensmodell einer AC-Spannungsquel-

le 102-Verhaltensmodell einer Diode 117

VHDL-Modell mit Testbench 586Video-Testsignale 295Virtuelle Induktivität 305Vorselektion 575Vorserie 10Vorverstärker mit Verstärkungsregelung 575

WWärmeflussanalyse 66, 83, 89

-Gesamtverlustleistung 84-Junction 84-Lastminderungskurve 84-Leistungsbilanz 84-Nennverlustleistung 84-Pulsleistung 87-Thermische Ersatzschaltung 85-Verlustleistung 87-Wärmekapazität 86-Wärmeübergangswiderstand 85-Wärmeverlustleistung 84-Wärmewiderstand im Pulsbetrieb 88

Wärmeverlustleistung 84Waveform-Analyzer 35Wechselspannungsamplitude 5Wilson-Konstantstromquelle 492Wirbelstromverluste 448Wirkungsgrad 508, 517Workspace 33, 46

ZZeigerdiagramm 5Zenerdiode 200ZF - Filter 575ZF-Verstärker 577Ziehbereich 557Zieltechnologie 13Zustandsautomaten 573Zweigimpedanz 7Zweigströme 7Zwischenfrequenzlage 575